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光刻膠的應用

光刻膠的應用

       1975年，美國的國際半導體設備與材料協會首先為微電子工業配套的超凈高純化學品制定了國際統一標準——SEMI標準。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。《國家集成電路產業發展推進綱要》，提出“研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料”。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。

全球市場

目前，光刻膠單一產品市場規模與海外巨頭公司營收規模相比較小，光刻膠僅為大型材料廠商的子業務。但由于光刻膠技術門檻高，就某一光刻膠子行業而言，僅有少數幾家供應商有產品供應。

由于光刻膠產品技術要求較高，中國光刻膠市場基本由外資企業占據，國內企業市場份額不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻膠，其核心技術基本被日本和美國企業所壟斷，產品也基本出自日本和美國公司，包括陶氏化學、JSR株式會社、信越化學、東京應化工業、Fujifilm，以及韓國東進等企業。9．在DEEPRIE和MASK可以使用NRP9-8000P嗎。

而細化到半導體用光刻膠市場，國內企業份額不足30%，與國際水平存在較大差距。這些化學成分發生變化的區域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中，國內公司中，蘇州瑞紅與北京科華實現了部分品種的國產化，但是整體技術水平較低，僅能進入8英寸集成電路生產線與LED等產線。

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正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。今年5月，02重大專項實施管理辦公室組織任務驗收專家組、財務驗收專家組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究”項目的任務驗收和財務驗收。然后給出了具體的工藝條件，并根據正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。由于工藝中基本上不經過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。