NR26 25000P光刻膠價格規格齊全 賽米萊德公司

市場規模

中國半導體產業穩定增長，全球半導體產業向中國轉移。光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。據WSTS和SIA統計數據，2016年中國半導體市場規模為1659.0億美元，增速達9.2%，大于全球增長速度（1.1%）。2016年中國半導體制造用光刻膠市場規模為19.55億元，其配套材料市場規模為20.24億元。預計2017和2018年半導體制造用光刻膠市場規模將分別達到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場規模將分別達到22.64億元和29.36億元。在28nm生產線產能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛，需求增長持續性強。近些年來，全球半導體廠商在中國大陸投設多家工廠，如臺積電南京廠、聯電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導體工廠的設立，也拉動了國內半導體光刻膠市場需求增長。

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正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優越性。b、接近式曝光（ProximityPrinting）掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。由于工藝中基本上不經過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。

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光刻膠穩定性

化學穩定性：在正常儲存和操作條件下，在密閉容器中室溫穩定。

避免的條件: 火源、濕氣、過熱的環境。

不相容的其他材料: 強氧化劑。

光刻膠毒理資料

淡黃色液體，氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激?？梢酝ㄟ^皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。

毒性數據

皮膚：可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀，類似于吸入。長時間或重復接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛發炎。

吸入：吸入時可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導致困倦和頭暈。

攝食：吞食有害。

延遲效應：肝和損害，以及動物實驗中有報道血液和GU髓有影響。