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氮化硅結合碳化硅制品介紹

氮化硅結合碳化硅制品： 氮化硅結合碳化硅材料是一種耐火材料，主要產品有氮化硅結合碳化硅輻射管、氮化硅結合碳化硅磚等。 被廣泛應用于鋼鐵、有色金屬、化工建材等多種行業，具有節能、環保、耐高溫、耐腐蝕等諸多優點。氮化硅結合碳化硅磚是以高純SiC為骨料，添加硅粉等外加劑，依據原位生成理論，在氮化爐中燒制而成。 氮化硅制品在窯爐中用過以后，也會出現氧化現象，有些氮化硅磚氧化以后會和碳化硅磚一樣，氮化硅氧化變成碳化硅，呈現黑色的碳化硅顆粒，如果氧化的嚴重的情況下，氮化硅的體積會出現疏松，碳化硅含量下降，體積密度降低，耐壓強度也會大大降低。 此外，氮化硅還能應用到太陽能電池中。用PECVD法鍍氮化硅膜后，不但能作為減反射膜可減小入射光的反射，而且，在氮化硅薄膜的沉積過程中，反應產物氫原子進入氮化硅薄膜以及硅片內，起到了鈍化缺陷的作用。這里的氮化硅氮硅原子數目比并不是嚴格的4:3，而是根據工藝條件的不同而在一定范圍內波動，不同的原子比例對應的薄膜的物理性質有所不同。

Si3N4陶瓷材料作為一種優異的高溫工程材料

Si3N4 陶瓷材料作為一種優異的高溫工程材料，能發揮優勢的是其在高溫領域中的應用。Si3N4 今后的發展方向是：⑴充分發揮和利用Si3N4 本身所具有的優異特性；⑵在Si3N4 粉末燒結時，開發一些新的助熔劑，研究和控制現有助熔劑的成分；⑶改善制粉、成型和燒結工藝； ⑷研制Si3N4 與SiC等材料的復合化，以便制取更多的復合材料。該產品已在焦作萬方鋁業、貴陽鋁業、中孚鋁業、包頭鋁業等多家企業的大型電解槽中使用，并出口力拓加拿大鋁業、俄羅斯鋁業、巴林鋁業等，深得用戶好評。它耐高溫，強度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到1900℃才會分解，并有驚人的耐化學腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機酸和30%以下的溶液，也能耐很多有機酸的腐蝕；同時又是一種電絕緣材料。

氮化硅磚是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主

氮化硅磚是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻 ( Cr2O3)為主要成分，方鎂石和尖晶石為主要礦物組分的耐火材料制品。這類磚耐火度高，高溫強度大，抗堿性渣侵蝕性強，熱穩定性優良，對酸性渣也有一定的適應性。 氮化硅（Si3N4）存在有3種結晶結構，分別是α、β和γ三相。α和β兩相是Si3N4常出現的型式，且可以在常壓下制備。氮化硅（Si3N4）存在有3種結晶結構，分別是α、β和γ三相。γ相只有在高壓及高溫下，才能合成得到，它的硬度可達到35GPa。 氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨脹系數小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導熱率18.4W/(m·K)。熱穩定性好，1200～2000℃熱交換上千次不破壞。抗折強度可達200~700MPa，耐氧化溫度1400℃，在還原氣氛中可達1870℃。室溫電阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后燒結或熱壓方法制取。 制造氮化硅磚的主要原料是燒結鎂砂和鉻鐵礦。鎂砂原料的純度要盡可能高，鉻鐵礦化學成分的要求為：Cr2O330～45%，CaO不大于1.0～1.5%。 燒制氮化硅磚的生產工藝與鎂質磚大體相仿。為了消除磚在燒成過程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接結合氮化硅磚。

耐火材料一般分為兩種,即不定型

耐火材料一般分為兩種，即不定型耐火材料和定型耐火材料。不定型耐火材料也叫澆注料，是由多種骨料或集料和一種或多種粘和劑組成的混合粉狀顆料，使用時需要和一種或多種液體配合攪拌均勻，具有較強的流動性。定型耐火材料一般指耐火磚，其形狀有標準規則，也可以根據需要筑切時臨時加工。氣壓燒結法（GPS)近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。 反應燒結法（ RS) 是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經預氮化（部分氮化）燒結處理，預氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆).。然后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結，得到尺寸變化很小的產品（即生坯燒結后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產品一般不需研磨加工即可使用。 常壓燒結法（ PLS) 在提高燒結氮氣氛壓力方面，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質，在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800———2000℃溫度范圍內進壓燒結。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產品的性能比熱壓燒結略低。 氣壓燒結法（ GPS) 近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷。