NR7 6000P光刻膠公司品質售后無憂

含硅光刻膠

為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝，就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術節點，光刻膠的厚度已經減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對襯底的刻蝕 [2]  。為此，研發了含Si的光刻膠，這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料（常被稱作Underlayer），其對光是不敏感的。曝光顯影后，利用氧等離子體刻蝕，把光刻膠上的圖形轉移到Underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下，含Si的光刻膠刻蝕速率遠小于Underlayer，具有較高的刻蝕選擇性 [2]  。含有Si的光刻膠是使用分子結構中有Si的有機材料合成的，例如硅氧烷，，含Si的樹脂等

光刻膠的相關內容

光刻膠必須滿足幾個硬性指標要求：高靈敏度，高對比度，好的蝕刻阻抗性，高分辨力，易于處理，高純度，長壽命周期，低溶解度，低成本和比較高的玻璃化轉換溫度（Tg）。主要的兩個性能是靈敏度和分辨力。

感光膠的主要成分是樹脂或基體材料、感光化合物以及可控制光刻膠機械性能并使其保持液體狀態的溶劑。樹脂在曝光過程中改變分子結構。感光化合物控制樹脂定相的化學反應速度。溶劑使得膠能在圓片上旋轉擦敷并形成薄瞙。沒有感光化合物的光刻膠稱為單成分膠或單成分系統，有一種感光劑的情形下，稱為二成分系統。因為溶劑和其他添加物不與膠的感光反應發生直接關系，它們不計入膠的成分。

在曝光過程中，正性膠通過感光化學反應，切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯系，達到削弱聚合體的目的，所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負性膠，在感光反應過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密，并且從鏈下墜物增長，所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區間顯影，負性膠則相反。負性膠由于曝光區間得到保留，漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像，而正性膠相反，為下寬上窄的圖像。

為什么現在還有人使用負性膠

劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區域溶解得要快得多。理想情況下，未曝光的區域保持不變。負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區域將溶解，而曝光的區域被保留。正性膠的分辨力往往是較好的，因此在IC制造中的應用更為普及，但MEMS系統中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負性膠仍有應用市場。

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光刻膠分類概述

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基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。

①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，然后生成聚合物，具有形成正像的特點。

②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后，會發生光分解反應，由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。

③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。