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光刻膠分類

光刻膠按其形成圖形的極性可以分為：正性光刻膠和負性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子；負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉，因此正膠的曝光部分被去掉，而負膠的曝光部分被保留。

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   光刻膠的主要技術參數

1．靈敏度（Sensitivity）

靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

光刻膠的分辨率是一個綜合指標，影響該指標的因素通常有如下3個方面：

(1) 曝光系統的分辨率。

(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。

(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。  

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硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

注意事項：

①若腐蝕液為堿性，則不宜用正性光刻膠；

②看光刻機型式,若是投影方式,用常規負膠時氮氣環境可能會有些問題

③負性膠價格成本低，正性膠較貴；

④工藝方面：負性膠能很好地獲得單根線，而正性膠可獲得孤立的洞和槽；

⑤健康方面：負性膠為有機溶液處理，不利于環境；正性膠屬于水溶液，對健康、環境無害。

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光刻膠可以分為哪幾類

光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠。反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。