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發(fā)布時(shí)間：2021-10-23 05:22
光刻膠去除
半導(dǎo)體器件制造技術(shù)中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。
在現(xiàn)有技術(shù)中，去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于去膠機(jī)內(nèi)，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發(fā)生反應(yīng)，從而將光刻膠層去除。
而在一些半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)時(shí)，考慮到器件性能要求，需要對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行離子注入，使其滿足各種器件不同功能的要求。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時(shí)，需要利用前面存儲(chǔ)單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時(shí)的阻擋層，在摻雜的過(guò)程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠外面形成一層堅(jiān)硬的外殼。用RR5去膠液可以很容易的去膠NR9-3000PY的制作和工藝是根據(jù)職業(yè)和環(huán)境的安全而設(shè)計(jì)。
這層堅(jiān)硬的外殼可以采取兩種現(xiàn)有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產(chǎn)生光刻膠殘留；雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會(huì)影響孔。方法二，先通過(guò)干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統(tǒng)的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費(fèi)能源，而且降低了生產(chǎn)效率；同時(shí)，傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時(shí)，光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內(nèi)部的熱量的散發(fā)，光刻膠內(nèi)部膨脹應(yīng)力增大，導(dǎo)致層多晶硅倒塌的現(xiàn)象。
NR9-1000py
問(wèn)題回饋：
1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據(jù)我所知，F(xiàn)uturrex
有幾款膠很，NR7-1500P
NR7-3000P是專門(mén)為離子蝕刻
設(shè)計(jì)的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。
2．請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品？
A 美國(guó)光刻膠，F(xiàn)uturrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問(wèn)題。
3．你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品？
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：比較好的解析度，比較好的線寬控制，
反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？
A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經(jīng)過(guò)HMCTS
silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5．厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上，用哪一種比較理想？
A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。
6．請(qǐng)教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？
A 可以考慮使用Futurrex
，正型光阻PR1，負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．請(qǐng)問(wèn)，那位知道，RIE
Mask,用什么光阻比較好？
A 正型光阻用PR1系列，負(fù)型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。
8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？
A NR9-8000P有很高的深寬比（超過(guò)4：1），一般厚膜以及，MEMS產(chǎn)品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？
A 建議不使用，因?yàn)槭褂肗R5-8000更加理想和適合。
10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？
A 有一種膠很適合，美國(guó)Futurrex
生產(chǎn)的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers
?Futurrex
提供先進(jìn)化學(xué)技術(shù)的多樣化解決方案
成立于1985年,總部設(shè)在美國(guó)新澤西州，富蘭克林市,高速成長(zhǎng)并超過(guò)20年連續(xù)盈利的跨國(guó)公司
公司業(yè)務(wù)覆蓋范圍包括北美，亞太以及歐洲
基于多樣化的技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域：微電子、光電子、LED、太陽(yáng)能光伏、微機(jī)電系統(tǒng)、生物芯片、微流體、平面印刷
解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程
客戶：從財(cái)富100強(qiáng)到以風(fēng)險(xiǎn)投資為背景的設(shè)備研發(fā)及制造公司
使命
目標(biāo)
提供特殊化學(xué)品和全新工藝來(lái)增加客戶的產(chǎn)能
策略
提供獨(dú)特的產(chǎn)品來(lái)優(yōu)化生產(chǎn)制程，以提高設(shè)備能效
領(lǐng)的技術(shù)提升生產(chǎn)過(guò)程中的整體性價(jià)比
工藝步驟的減少降低了成本和產(chǎn)生瑕疵的可能
增加客戶的產(chǎn)能和生產(chǎn)的效率
工藝減化
非同尋常的顯微構(gòu)造、金屬及介電層上的圖形轉(zhuǎn)換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定
在生產(chǎn)過(guò)程中，不含有害溶劑
支持所有客戶的需要，與客戶共創(chuàng)成功
