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測試的IGBT參數包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0。

半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用；1～200AVge柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0。 可選購外部高壓模塊，執行關閉狀態參數測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

7、測量配置

7.1 示波器：美國泰克新5系混合信號示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速電流探頭；

7.3 高壓差分探頭。

8、測試參數應包括

8.1 開通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 關斷：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 柵電荷：采用恒流驅動，電流可調范圍：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模塊)測試：0-20KΩ；

8.8 主要測試參數精度偏差 ：< 3 % 。

產品主要有電力半導體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設備，電氣自動化設備，電冶、電化學裝置，電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統、光電脈沖觸發板、IGBT的智能高壓驅動板等。等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。