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發布時間:2020-07-14 18:05  
近兩年IGBT測試儀持續火爆,新能源汽車,軌道交通,風力發電等等都需要大量的IGBT模塊,所以我們華科智源推出了大功率IGBT測試儀,可以測試1200A,5000V以內的IGBT模塊,基本可以涵蓋現階段的IGBT模塊的測試了,我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數,對一些檢修,維護領域的工作有比較好的幫助,目前國內我們華科智源不光是IGBT靜態測試儀,包括動態測試儀,與國際品牌的設備也可以放在一起競爭了,而且我們不怕競爭,這對我們是一種促進。2反向恢復技術條件 測試參數: 1、Irr(反向恢復電流):50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、Qrr(反向恢復電荷):1~1000uC 1~50uC±5%±0。

半導體元件除了本身功能要良好之外,其各項參數能否達到電路上的要求,必須定期測量,否則產品的質量特性很難保證,尤其是較大的功率元件,因具有耗損性,易老化及效率降低,因不平衡導致燒毀,甚至在使用中會發生。機車、汽車、船舶控制系統生產廠——應用本公司測試系統可對所應用到的元器件,尤其對。所以對新產品及使用中的元件參數的篩選及檢查更為重要。 半導體元件的每一個參數,依其極性的不同,都須要一個獨特的測量電路,我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統,具有一組繼電器形成的矩陣電路,依每個參數的定義,形成千變萬化的電路,再依元件的出廠規格加上額定的電流或電壓后,在極短的時間內將所須要的數據量測出來,且有些參數從量測的數據經快速運算即可得知其特性是否在規定范圍內。

現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導地位。1V 3)集電極-發射極電壓 集電極電壓VCES: 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES: 0。由于科技進步,電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展,尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換....等領域,使半導體開發技術人員在市場需求下,對大功率元件的發展技術,持續在突破。

什么是大功率半導體元件?其用途為何?
凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶閘管)、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等,其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上,均可屬于大功率的范圍。2測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2。如下圖片所示。此類元件多用于車船,工廠的動力,光電及其他能源的轉換上。
