單光子探測(cè)器報(bào)價(jià)常用指南,和力達(dá)

單光子計(jì)數(shù)器——光子計(jì)數(shù)的組成與原理

組成部分：光子計(jì)數(shù)器主要由光電倍增管、放大器、甄別器和計(jì)數(shù)器組成。

原理：光電計(jì)數(shù)器工作時(shí)，光電倍增管的光電陰極接受光輻射的照射，在光電倍增光的負(fù)載上形成了一系列的電脈沖，把它連接到放大器上。碲鎘材料還具有介電常數(shù)小，熱膨脹系數(shù)小，電子遷移率高等優(yōu)點(diǎn)，適宜于制作高性能、多用途和新穎結(jié)構(gòu)的光子型探測(cè)器。這些脈沖經(jīng)放大器放大后，加在甄別器的輸入器上，甄別器濾除部分噪音脈沖，只允許那些和光輻射功率成正比的脈沖通過(guò)，并送入計(jì)數(shù)器。

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單光子探測(cè)器介紹

通過(guò)量子阱的子帶躍遷光吸收改變自身帶電狀態(tài)來(lái)調(diào)控另一個(gè)量子阱中的二維電子橫向輸運(yùn)特性,從而產(chǎn)生可探測(cè)的電導(dǎo)變化。以上信息由北京和力達(dá)科技有限公司為您提供，歡迎撥打圖片上的電話(huà)與我們聯(lián)系。這種雙量子阱電容耦合的結(jié)構(gòu)具有很高的非線(xiàn)性放大系數(shù),從而具有很高的探測(cè)效率,響應(yīng)波長(zhǎng)可以從遠(yuǎn)紅外設(shè)計(jì)至THz波段。針對(duì)器件特性設(shè)計(jì)增益可調(diào)讀出電路,進(jìn)一步研制成工業(yè)級(jí)微型光譜儀。

北京和力達(dá)科技有限公司——專(zhuān)業(yè)提供單光子探測(cè)儀，我們公司堅(jiān)持用戶(hù)為上帝，想用戶(hù)之所想，急用戶(hù)之所急，以誠(chéng)為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠(chéng)地歡迎與國(guó)內(nèi)外的各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

單光子探測(cè)儀的材料

超導(dǎo)TES單光子探測(cè)器本質(zhì)上屬于熱探測(cè)器的一種。當(dāng)照射在某一位置上的光點(diǎn)激發(fā)出光生載流子后，這些載流子即在偏置電壓的驅(qū)動(dòng)下向信號(hào)讀出區(qū)作漂移運(yùn)動(dòng)。典型的熱探測(cè)器包括吸收能量的吸收體，測(cè)量溫度變化的溫度計(jì)，維持恒定溫度的熱沉，以及吸收體和熱沉之間的弱熱連接。測(cè)器的核心是由一層生長(zhǎng)在硅襯底上、尺寸在20 m×20 m左右、厚度為幾十納米的超導(dǎo)薄膜。在薄膜的兩端施加恒定電壓，由于低溫下薄膜中電子與聲子之間的弱熱耦合作用，焦耳熱功率的存在使薄膜電子系統(tǒng)的溫度Te高于聲子系統(tǒng)的溫度Tp，這被稱(chēng)為“熱電子”效應(yīng).作為單光子探測(cè)器使用時(shí)，超導(dǎo)薄膜中的電子系統(tǒng)同時(shí)承擔(dān)了熱探測(cè)器的吸收體和TES溫度計(jì)的雙重功能。由于薄膜中聲子系統(tǒng)與硅襯底之間較強(qiáng)的熱耦合作用，聲子系統(tǒng)的溫度等于硅襯底的溫度(Tp=Tb)，聲子系統(tǒng)充當(dāng)了熱探測(cè)器中的熱沉。薄膜電子系統(tǒng)和聲子系統(tǒng)之間的弱熱耦合構(gòu)成了熱探測(cè)器所需要的弱熱連接。

北京和力達(dá)科技有限公司主營(yíng)極弱光檢測(cè)，單光子探測(cè)器，熒光壽命分析儀，激光驅(qū)鳥(niǎo)器等。歡迎新老客戶(hù)的蒞臨。

光子型探測(cè)器

光子型探測(cè)器（ photon detector） 利用外光電效應(yīng)或內(nèi)光電效應(yīng)制成的輻射探測(cè)器，也稱(chēng)光電型探測(cè)器。北京和力達(dá)科技有限公司成立于2012年，自成立至今已為多家知名企業(yè)提供了產(chǎn)品以及產(chǎn)品定制服務(wù)，鑒于我們提供的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和周到的配套服務(wù)，我司于2016年成為是德科技的產(chǎn)品供應(yīng)商。探測(cè)器中的電子直接吸收光子的能量，使運(yùn)動(dòng)狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電信號(hào)，常用于探測(cè)紅外輻射和可見(jiàn)光。半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的性能在很大程度上取決于制備探測(cè)器所用的半導(dǎo)體材料。本征半導(dǎo)體材料比摻雜半導(dǎo)體材料更加有用。本征半導(dǎo)體材料既能用來(lái)制作光導(dǎo)型探測(cè)器，又能制做光伏型探測(cè)器；而摻雜半導(dǎo)體只能做成光導(dǎo)型探測(cè)器。截止波長(zhǎng)較長(zhǎng)的半導(dǎo)體光子型探測(cè)器，大多數(shù)必須在較低溫度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探測(cè)器在室溫下的探測(cè)率明顯低于低溫下的探測(cè)率。為了保持半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的正常工作，常把探測(cè)器置于低溫容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探測(cè)器達(dá)到較低的工作溫度。

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