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發布時間：2020-10-21 05:33

光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。四、前烘（SoftBake）完成光刻膠的涂抹之后，需要進行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統分辨率的性能，Futurrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。終應用領域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中核心的工藝。

以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。

光刻技術隨著IC集成度的提升而不斷發展。受全球半導體市場復蘇和國內承接產業轉移，預計全球光刻膠市場將保持穩定增速，國內市占率穩步抬升。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術基本被日本和美國企業所壟斷。

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光刻膠穩定性

化學穩定性：在正常儲存和操作條件下，在密閉容器中室溫穩定。

避免的條件: 火源、濕氣、過熱的環境。

不相容的其他材料: 強氧化劑。

光刻膠毒理資料

淡黃色液體，氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。

毒性數據

皮膚：可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀，類似于吸入。長時間或重復接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛發炎。

吸入：吸入時可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導致困倦和頭暈。