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刻蝕過程

普通的刻蝕過程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質或金屬層，則選擇腐蝕以后，圖形就轉移到介質或金屬層上。

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離子束刻蝕機

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實現刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

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離子束刻蝕常見的效應

刻蝕的理想結果是將掩模(mask)的圖形準確地轉移到基片_上，尺寸沒有變化。由于物理濺射的存在，掩模本身的不陡直和濺射產額隨離子束入射角變化等原因，產生了刻面( Faceting)、槽底開溝(Trenching or Ditching) 和再沉積等現象，這些效應的存在降低了圖形轉移精度。

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離子束分析具有一定能量的離子與物質相互作用會使其發射電子、光子、X射線等，還可能發生彈性散射、非彈性散射以及核反應，產生反彈離子、反沖核、γ射線、氫核、氚核、粒子等核反應產物，可以提供有關該物質的組分、結構和狀態等信息。利用這些信息來分析樣品統稱離子束分析。在離子束分析方法中，比較成熟的有背散射分析X射線熒光分析、核反應分析和溝道效應（見溝道效應和阻塞效應）與其他分析相結合的分析方法等。此外，利用低能離子束還可作表面成分分析,如離子散射譜(ZSS)、次級離子質譜(SZMS)等。超靈敏質譜（質譜）、帶電粒子活化分析、離子激發光譜、離子激發俄歇電子譜等正在發展中。用于離子束分析的MV級已有專門的商業化設備。