廣東單片機石英晶體諧振器報價優惠報價「晶宇興」

 晶體振蕩器的發展

1、小型化、薄片化和片式化：為滿足移動電話為代表的便攜式產品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30～100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已經上市。

2、高精度與高穩定度，目前無補償式晶體振蕩器總精度也能達到±25ppm，VCXO的頻率穩定度在10～7℃范圍內一般可達±20～100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內頻率穩定度一般為±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。

3、低噪聲，高頻化，在GPS通信系統中是不允許頻率顫抖的，相位噪聲是表征振蕩器頻率顫抖的一個重要參數。目前OCXO主品的相位噪聲性能有很大改善。除VCXO外，其它類型的晶體振蕩器輸出頻率不超過200MHz。例如用于GSM等移動電話的UCV4系列壓控振蕩器，其頻率為650～1700 MHz，電源電壓2.2～3.3V，工作電流8～10mA。

4、低功能，快速啟動，低電壓工作，低電平驅動和低電流消耗已成為一個趨勢。電源電壓一般為3.3V。目前許多TCXO和VCXO產品，電流損耗不超過2 mA。石英晶體振蕩器的快速啟動技術也取得突破性進展。例如日本精工生產的VG—2320SC型VCXO，在±0.1ppm規定值范圍條件下，頻率穩定時間小于4ms。日本東京陶瓷公司生產的SMD TCXO，在振蕩啟動4ms后則可達到額定值的90[%]。OAK公司的10～25 MHz的OCXO產品，在預熱5分鐘后，則能達到±0.01 ppm的穩定度。

晶體諧振器(Crystal)

晶體諧振器，英文是Crystal Units，簡稱為晶體（也有人稱為無源晶振）。目前市場上使用廣泛的是石英晶片為基材的晶體晶振。32.768kHz晶體諧振器。包括貼片音叉晶振，圓柱形和DIP型。AT晶體諧振器采用AT切割方式，基于基波的頻率范圍覆蓋4MHz~64MHz。多種規格尺寸可選。SAW諧振器300MHz至870MHz高頻率用途，超薄超小尺寸，可應用在汽車無鈅門鎖等領域、近場通信等低功耗無線通信上。

晶體諧振器基本參數

操作溫度范疇 晶體元件工作中在要求頻差以內的操作溫度范疇。 存儲溫度范圍 晶體能在它的性中獲得完好無損儲存的范疇。 鼓勵電平 電源電路中用于推動晶體元件震蕩的開關電源叫鼓勵電平，越好的商品必須的鼓勵電平越小。 負荷電容 從晶體的2個腳位向電控系統看去電源電路所展現的所有合理電容，即是負荷電容，它與晶體元件一起決策晶體在電源電路上的工作效能。 等效電路 晶體的等效電路。可運用其描述晶體在串聯諧振周邊的工作中特點，Co表明靜態數據電容，是晶體兩電級中間的電容和再加上導線及底座產生的電容。RI、LI、CI構成晶體等效電路的動態臂。CI表明石英石的動態電容。LI為動態電感器，RI為動態電阻器 .

晶體諧振器的激勵電平

激勵電平。一般取70 -100uA 為佳，用激勵功率表示時，一般取1 -100uW 為佳。激勵電平的大小直接影響石英諧振器的性能，所以電路設計者一定要嚴格控制石英諧振器在規定的激勵電平下工作，以便充分發揮石英諧振器的特點。一般來講，激勵電平偏小對于長穩有利，激勵電平稍大對于短穩有利。但是激勵電平太大，石英片振動強，振動區域溫度升高，石英片內產生溫度梯度，會使頻率穩定度降低;激勵電平過大，由于機械形變超過彈性限度而引起長期的晶格位移，使頻率產生長期性的變化，甚至有時會把石英片振壞;激勵電平過大，會使等效電阻增加，Q 值下降，電阻溫度特性和頻率溫度特性變得不規則;激勵電平過大，容易激起寄生振動，同時還會使老化變大。當然，激勵電平過低也會使信噪比變小而影響短期穩定度，激勵電平太低，諧振器不易起振，影響工作的穩定和可靠性。所以諧振器使用應根據不同的要求嚴格控制激勵電平，更不能為了增大輸出而隨意提高激勵電平。