真空磁控濺射鍍膜機(jī)原理推薦

直流磁控濺射技術(shù)

為了解決陰極濺射的缺陷，人們?cè)?0世紀(jì)開發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn)，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過熱。無(wú)心插柳技術(shù)性的出現(xiàn)和運(yùn)用早已親身經(jīng)歷了很多環(huán)節(jié),當(dāng)初,僅僅簡(jiǎn)易的二極、三極充放電無(wú)心插柳堆積。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn)。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場(chǎng)會(huì)使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。

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我國(guó)真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。國(guó)內(nèi)真空離子鍍膜機(jī)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，相對(duì)于國(guó)外高1端鍍膜設(shè)備而言，在自動(dòng)化程度與技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步，但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性方面尚需提升，高1端設(shè)備仍依賴進(jìn)口。做窗膜磁控濺射鍍膜的應(yīng)多去看看玻璃行業(yè)的low-e鍍膜，多些交流。同時(shí)多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場(chǎng)存在供大于求的情況，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)較為激烈。

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磁控濺射

磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽(yáng)極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使ya氣發(fā)生電離。

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