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紅外探測器的時間常數比光敏電阻小得多,探測器的時間常數一般為50～500微秒,HgCdTe探測器的時間常數在10-6～10-8秒量級。紅外探測器有時要探測非常微弱的輻射信號,例如10-14 瓦；輸出的電信號也非常小,因此要有專門的前置放大器。在動態特性（即頻率響應與時間響應）方面，以光電倍增管和光電二極管（尤其是PIN管與雪崩管）為好；在光電特性（即線性）方面，以光電倍增管、光電二極管和光電池為好；在靈敏度方面，以光電倍增管、雪崩光電二極管、光敏電阻和光電三極管為好。值得指出的是，靈敏度高不一定就是輸出電流大，而輸出電流大的器件有大面積光電池、光敏電阻、雪崩光電二極管和光電三極管；光信號轉換為電信號主要基于材料的光電效應，愛因斯坦因為利用光量子理論成功解釋了光電效應而獲得了1921年的諾貝爾物理學獎。外加偏置電壓低的是光電二極管、光電三極管，光電池不需外加偏置；在暗電流方面，光電倍增管和光電二極管小，光電池不加偏置時無暗電流，加反向偏置后暗電流也比光電倍增管和光電二極管大；長期工作的穩定性方面，以光電二極管、光電池為，其次是光電倍增管與光電三極管；在光譜響應方面，以光電倍增管和CdSe光敏電阻為寬，但光電倍增管響應偏紫外方向，而光敏電阻響應偏紅外方向。

光電探測器噪聲分類

1、噪聲：由于光電探測器在光輻射作用或熱激發下，光電子或載流子隨機產生造成的。存在于真空發射管和半導體器件中，屬于白噪聲。

2、熱噪聲：暗電流大小與偏壓、溫度及反向飽和電流密切相關。PN結外加正向偏壓，暗電流隨外加電壓增大成指數急劇增大，遠大于光電流，因此加正偏壓無意義。PN結外加反向偏壓，暗電流隨反向偏壓增大有所增大，*后等于反向飽和電流，其值遠小于光電流。光電探測器功能現下的金屬探測器除了基本的探測警報功能外，一般都會提供許多各廠商精心研發的特殊功能，如：地表平衡的功能：以利機器正確比對是否發現金屬物而非干擾。

3、產生-復合噪聲：半導體中載流子產生與復合的隨機性而引起的載流子濃度的起伏。與噪聲本質相同，都是由于載流子隨機起伏所致，所以有時將該噪聲歸并為噪聲。不是白噪聲，低頻限噪聲。是光電探測器的主要噪聲源。

4、1/f噪聲：（又稱電流噪聲、閃爍噪聲或過剩噪聲），低頻噪聲，幾乎所有探測器都存在。探測器表面工藝狀態對該噪聲影響很大。頻譜近似與頻率成反比。主要出現在1kHz以下的低頻區，工作頻率大于1kHz時，與其他噪聲相比可忽略。

5、倍增噪聲：光電倍增管

6、雪崩噪聲：雪崩光電二極管

7、溫度噪聲：熱探測器本身吸收和傳導等熱交換引起的溫度起伏。

光電探測器的性能比較

①光電探測器動態特性(即頻率響應與時間響應)方面，以光電倍增管和光電二極管(尤其是PIN管與雪崩管)為較好;

②光電探測器光電特性(即線性)方面，以光電倍增管、光電二極管和光電池為較好;

③光電探測器靈敏度方面，以光電倍增管、雪崩光電二極管、光敏電阻和光電三極管為較好。值得指出的是，靈敏度高不一定就是輸出電流大，而輸出電流大的器件有大面積光電池、光敏電阻、雪崩光電二極管和光電三極管;

④光電探測器外加偏置電壓較低的是光電二極管、光電三極管，光電池不需外加偏置;

⑤光電探測器暗電流方面，光電倍增管和光電二極管較小，光電池不加偏置時無暗電流，加反向偏置后暗電流也比光電倍增管和光電二極管大;

⑥光電探測器長期工作的穩定性方面，以光電二極管、光電池為較好，其次是光電倍增管與光電三極管;

⑦光電探測器光譜響應方面，以光電倍增管和CdSe光敏電阻為較寬，但光電倍增管響應偏紫外方向，而光敏電阻響應偏紅外方向。

期望大家在選購光電探測器時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節疑問。想要了解更多光電探測器的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?！