磁控濺射機(jī)廠家推薦「沈陽(yáng)鵬程」

線列式磁控生產(chǎn)線

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

采用先進(jìn)的in-line產(chǎn)線結(jié)構(gòu)，Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術(shù)，并配以全自動(dòng)控制系統(tǒng)、先進(jìn)的真空系統(tǒng)，可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類絕緣介質(zhì)薄膜、金屬或合金薄膜，并可連續(xù)濺鍍多種不同材質(zhì)的薄膜構(gòu)成復(fù)合多膜層結(jié)構(gòu)，適合大規(guī)模光學(xué)、電學(xué)薄膜的生產(chǎn)，做到一機(jī)多用具有高能效、高可靠性、低成本的優(yōu)勢(shì)。所不同的是電場(chǎng)方向，電壓電流大小而已沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年磁控濺射產(chǎn)品行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，專注磁控濺射產(chǎn)品研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進(jìn)的磁控濺射產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話。

     本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽(yáng)能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

雙室磁控濺射系統(tǒng)

想了解更多關(guān)于磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注本公司。

設(shè)備簡(jiǎn)介

主要特點(diǎn)是設(shè)備體積小，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊易于操作，對(duì)實(shí)驗(yàn)室供電要求低；該系列設(shè)備主要部件采用進(jìn)口或者國(guó)內(nèi)優(yōu)的配置，從而提高設(shè)備的穩(wěn)定性；另外自主開(kāi)發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設(shè)備的運(yùn)行重復(fù)性及安全性方面得到更好地保障。Sputter24均勻性及重現(xiàn)性非常出色,可以使用DC,RF,脈沖直流電源。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據(jù)客戶的不同需求進(jìn)行配置，比較靈活；標(biāo)配4只Φ2英寸永磁靶，4臺(tái)500W直流濺射電源，主要用來(lái)開(kāi)發(fā)納米級(jí)單層及多層的金屬導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜以及絕緣膜等。

雙靶磁控濺射鍍膜機(jī)的特點(diǎn)有哪些？

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品，以下信息由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1：此款鍍膜儀配置有兩個(gè)靶槍：一個(gè)靶槍配套的是射頻電源，用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜；一個(gè)靶槍配套的是直流電源，用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜

2：該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜，應(yīng)用非常廣泛。

3：該鍍膜儀體積較小，且配備有觸摸屏控制面板，操作方便。

磁控濺射介紹

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品，我們公司堅(jiān)持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠(chéng)為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠(chéng)地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來(lái)的，因而濺射出來(lái)的原子能量高，有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。

濺射時(shí)，氣體被電離之后，氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。該系列設(shè)備主要部件采用進(jìn)口或者國(guó)內(nèi)最優(yōu)的配置，從而提高設(shè)備的穩(wěn)定性。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過(guò)程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個(gè)腔體，既會(huì)造成靶材浪費(fèi)，又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。