RR41光刻膠廠家值得信賴,賽米萊德

光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠(又稱光致抗蝕劑)，是指通過紫外光、準分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻材料。光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。光刻的工序下面我們來詳細介紹一下光刻的工序：一、清洗硅片（WaferClean）清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。因此光刻膠微細加工技術中的關鍵性化工材料，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作。生產光刻膠的原料包括光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體和其他助劑等。

LCD市場助力

全球LCD面板總出貨面積增長，LCD光刻膠需求增加。據WitsView數據，雖然近三年國際LCD廠商面板出貨量有所下降，但是由于大屏顯示的市場擴增，LCD整體出貨面積變大，2016年出貨總面積達到1.7億平方米，同比增長4.6%。據WitsView數據，雖然近三年國際LCD廠商面板出貨量有所下降，但是由于大屏顯示的市場擴增，LCD整體出貨面積變大，2016年出貨總面積達到1。隨著LCD出貨面積的持續增長，中國產業信息網預測，未來幾年全球LCD光刻膠的需求量增長速度為4%~6%。隨著國內廠商占據LCD市場比重越來越大，國內LCD光刻膠需求也會持續增長。

光刻的工序

下面我們來詳細介紹一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性

基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來，例如：美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術、美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術（例Goldfinger Mach2清洗系統）、美國SSEC公司的雙面檫洗技術（例M3304 DSS清洗系統）、 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術達到了新的水平、以HF / O3為基礎的硅片化學清洗技術。光刻膠存儲條件及操作防護光刻膠是一種可燃液體，儲存條件應符合對應的法規，不要與強氧化劑混合，存放在通風良好的地方，保持容器密閉，避免吸入蒸汽或霧氣，避免接觸眼睛、皮膚或衣服，操作后徹底清洗。