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射頻濺射

采用射頻電源代替直流電源，在靶和襯底間施加高頻電壓，濺射時(shí)，靶極會產(chǎn)生自偏壓效應(yīng)（即靶極會自動處于負(fù)電位狀態(tài)），使絕緣靶的濺射得到維持。常用的頻率約為13.56兆赫。

優(yōu)點(diǎn)可以濺射所有材料，包括導(dǎo)體和絕緣體濺射可大規(guī)模生產(chǎn)

磁控濺射

磁控濺射通過在靶陰極表面引入正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面，成螺旋狀運(yùn)行來增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量以增加濺射率。電源方面可同時(shí)配備直流和射頻兩種。

離子鍍基本原理：在真空條件下，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子，同時(shí)產(chǎn)生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負(fù)偏壓。這樣在深度負(fù)偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。

九、離子鍍的工藝過程：蒸發(fā)料的粒子作為帶正電荷的高能離子在高壓陰極（即工件）的吸引下，以很高的速度注入到工件表面。

產(chǎn)生原因：產(chǎn)品周轉(zhuǎn)運(yùn)輸或在爐內(nèi)生產(chǎn)時(shí)素材受到污染，產(chǎn)品表面有塵點(diǎn)、毛絲等，PVD出爐后灰塵脫落露出底材顏色。

解決方案：縮短產(chǎn)品在爐外停滯時(shí)間及爐內(nèi)潔凈度管控，減少異物掉落在產(chǎn)品表面。

產(chǎn)生原因：主要原因是產(chǎn)品表面臟污，膜層無法在產(chǎn)品上沉積或結(jié)合力差，在自然或人為的因素下產(chǎn)品表面漏出底材。

解決方案：將產(chǎn)品清洗干凈，避免污染產(chǎn)品，確保表面潔凈度。

靶材承受的功率密度是有限的.靶面溫度過高會導(dǎo)致靶材熔化或引起弧光放電.在直接水冷的情況下,金屬靶材的靶功率密度允許值為10~30W/cm2.根據(jù)選定的靶電壓和允許的靶功率密度,即可確定靶電流密度.

降低Ar壓強(qiáng)有利于提高鍍膜速率,還有利于提高膜層結(jié)合力和膜層致密度.磁控濺射的Ar壓強(qiáng)通常選為0.5Pa,氣體放電的阻抗隨Ar壓強(qiáng)的降低而升高.磁控濺射時(shí),可以適當(dāng)調(diào)節(jié)Ar壓強(qiáng),