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蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。如航空件的沖壓等就屬于這類企業，但這些工藝廠也都歸在一些大廠。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精準地做出所需成分和結構的單晶薄膜。

在沖壓加工操作中必須注意一下事項：

操作員必須了解沖壓設備的型號、規格、性能，要班前四查：查交接班記錄、查電器、查安全裝置、查模具；

做到定人、定點、定質、定量和定期加潤滑油；

有光電保護回路的壓力機，開機前應先調試光電的合適的工作位置并試車；

工作前檢查模具固定情況、安全裝置，一切正常后方能試車,慢車運轉一周后，再開車空轉2-3min，檢查設備運轉和潤滑情況正常以后，方可進行工作；

本實用新型采用這樣的結構設置，磁鐵底座2與鐵制指環4之間采用磁能吸附方式可實現數碼產品360度無死角使用，同時采用吸附原理，便于磁鐵底座2與鐵制指環4的分離和隱藏，不使用的情況下也不影響美觀。

更具體而言，所述磁鐵底座2外層設有配套的外觀鋁件3,外觀鋁件3的外圓直徑與鐵制指環4的內圓直徑相等。采用這樣的結構設置，在不使用的情況下，可以將鐵制指環4套于外觀鋁件3上，起到隱藏鐵制指環4的效果，不影響其外形的美觀。