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              非標(biāo)恒流電源多重優(yōu)惠「鑫宇航科技」

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              發(fā)布時(shí)間:2021-08-07 09:34  






              模塊電源耐壓不良的原因

              電源模塊的耐壓值一般高達(dá)幾千伏,不過(guò)在應(yīng)用或者測(cè)試中可能會(huì)出現(xiàn)達(dá)不到指標(biāo)的情況。

              降低耐壓能力的原因:

              (1)耐壓測(cè)試儀存在開(kāi)機(jī)過(guò)沖

              (2)選用模塊的隔離電壓值不夠

              (3)維修中多次使用回流焊、熱風(fēng)槍

              解決方法:可以通過(guò)規(guī)范測(cè)試和規(guī)范使用兩方面改善。如:耐壓測(cè)試時(shí)電壓逐步上調(diào),選取耐壓值較高的模塊,焊接模塊時(shí)要選取合適的溫度,避免反復(fù)焊接,損壞模塊。

              期望大家在選購(gòu)電源模塊時(shí)多一份細(xì)心,少一份浮躁,不要錯(cuò)過(guò)細(xì)節(jié)疑問(wèn)。想要了解更多電源模塊的資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話!!!






              電容在開(kāi)關(guān)電源模塊的作用

              一直以來(lái),開(kāi)關(guān)電源模塊的電磁干擾是一個(gè)重要的解決點(diǎn),從原理上來(lái)講電磁干擾主要來(lái)自于兩個(gè)方面,即傳導(dǎo)干擾和輻射的干擾。

              傳導(dǎo)干擾是由于電路中寄生參數(shù)的存在,以及開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通與判斷,使得開(kāi)關(guān)電源在交流輸入端產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾。

              輻射的干擾是指由于導(dǎo)體中電流的變化會(huì)在其周圍空間中產(chǎn)生變化的磁場(chǎng),而變化的磁場(chǎng)又產(chǎn)生變化的電場(chǎng),這一變化電流的幅值和頻率決定其產(chǎn)生的電磁的大小以及其作用范圍。

              為了減輕和抵抗這些電磁干擾對(duì)電網(wǎng)及電子設(shè)備產(chǎn)生的危害,設(shè)了X電容和Y電容,其中X電容主濾波作用,常用于差模濾波,與共模電感匹配,并聯(lián)在輸入的兩端,濾除L、N線之間的差模信號(hào),可防對(duì)外干擾。而Y電容主接地,常用于共模濾波,對(duì)稱使用,接于L于地或N于地之間,濾除L對(duì)地或N對(duì)地之間的差模信號(hào)。基于漏電流的限制,Y電容值不能太大。而這位設(shè)計(jì)者顯然不太懂得其中的道理,他稱那個(gè)電容為“魔法帽子”,而事實(shí)上我們只是減小了開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的回路面積。






              電源設(shè)計(jì)中即使是普通的直流到直流開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)都會(huì)出現(xiàn)一系列問(wèn)題,尤其在高功率電源設(shè)計(jì)中更是如此。除功能性考慮以外,工程師必須保證設(shè)計(jì)的魯棒性,以符合成本目標(biāo)要求以及熱性能和空間限制,當(dāng)然同時(shí)還要保證設(shè)計(jì)的進(jìn)度。另外,出于產(chǎn)品規(guī)范和系統(tǒng)性能的考慮,電源產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)必須足夠低。不過(guò),電源的電磁干擾水平卻是設(shè)計(jì)中難預(yù)計(jì)的項(xiàng)目。有些人甚至認(rèn)為這簡(jiǎn)直是不可能的,設(shè)計(jì)人員能做的就是在設(shè)計(jì)中進(jìn)行充分考慮,尤其在布局時(shí)。如:耐壓測(cè)試時(shí)電壓逐步上調(diào),選取耐壓值較高的模塊,焊接模塊時(shí)要選取合適的溫度,避免反復(fù)焊接,損壞模塊。




              開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用的電力電子器件主要為二極管、IGBT和MOSFET、變壓器。SCR在開(kāi)關(guān)電源輸入整流電路及軟啟動(dòng)電路中有少量應(yīng)用,GTR驅(qū)動(dòng)困難,開(kāi)關(guān)頻率低,逐漸被IGBT和MOSFET。開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展方向是高頻、高可靠、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。開(kāi)關(guān)電源由于開(kāi)關(guān)電源輕、小、薄的關(guān)鍵技術(shù)是高頻化,因此國(guó)外各大開(kāi)關(guān)電源制造商都致力于同步開(kāi)發(fā)新型高智能化的元器件,特別是改善二次整流器件的損耗,并在功率鐵氧體材料上加大科技,以提高在高頻率和較大磁通密度(Bs)下獲得高的磁性能,而電容器的小型化也是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。SMT技術(shù)的應(yīng)用使得開(kāi)關(guān)電源取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展,在電路板兩面布置元器件,以確保開(kāi)關(guān)電源的輕、小、薄。開(kāi)關(guān)電源的高頻化就必然對(duì)傳統(tǒng)的PWM開(kāi)關(guān)技術(shù)進(jìn)行,實(shí)現(xiàn)ZVS、ZCS的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)已成為開(kāi)關(guān)電源的主流技術(shù),并大幅提高了開(kāi)關(guān)電源的工作效率。對(duì)于高可靠性指標(biāo),美國(guó)的開(kāi)關(guān)電源生產(chǎn)商通過(guò)降低運(yùn)行電流,降低結(jié)溫等措施以減少器件的應(yīng)力,使得產(chǎn)品的可靠性大大提高。模塊電源耐壓不良的原因電源模塊的耐壓值一般高達(dá)幾千伏,不過(guò)在應(yīng)用或者測(cè)試中可能會(huì)出現(xiàn)達(dá)不到指標(biāo)的情況。



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