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人們把等離子體、離子束引入到傳統(tǒng)的物理氣相沉積技術(shù)的蒸發(fā)和濺射中，參與其鍍膜過程，同時通入反應氣體，也可以在固體表面進行化學反應，生成新的合成產(chǎn)物固體相薄膜，稱其為反應鍍。

在濺射鈦(Ti)等離子體中通入反應氣體N2后合成TiN就是一例。

這就是說物理氣相沉積也可以包含有化學反應。又如，在反應室內(nèi)通入，借助于w靶陰極電弧放電，在Ar，W等離子體作用下使分解，并在固體表面實現(xiàn)碳鍵重組，生成摻W的類金剛石碳減摩膜，人們習慣上把這種沉積過程仍歸入化學氣相沉積，但這是在典型的物理氣相沉積技術(shù)——金屬陰極電弧離子鍍中實現(xiàn)的。

化學氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發(fā)化合物置于反應室，當高溫氣流進入反應室時，可控制的反應室可使其發(fā)生一種合適的化學反應，導致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時將反應產(chǎn)物及多余物從反應室蒸發(fā)排除。

化學氣相沉積（簡稱CVD），也即化學氣相鍍或熱化學鍍或熱解鍍或燃氣鍍，屬于一種薄膜技術(shù)。常見的化學氣相沉積工藝包括常壓化學氣相沉積（NPCVD），低壓化學氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）。

射頻等離子體增強化學氣相沉積（RF-PCVD）

在低壓容器的兩極上加高頻電壓則產(chǎn)生射頻放電形成等離子體，射頻電源通常采用電容耦合或電感耦合方式，其中又可分為電極式和無電極式結(jié)構(gòu)，電極式一般采用平板式或熱管式結(jié)構(gòu)，優(yōu)點是可容納較多工件，但這種裝置中的分解率遠低于1%，即等離子體的內(nèi)能不高。電極式裝置設在反應容器外時，主要為感應線圈，如圖5，也叫無極環(huán)形放電，射頻頻率為13.56MHz。

隨著市場和研究人員的要求，隨著基于傳統(tǒng)工藝的新系統(tǒng)的出現(xiàn)，新的涂料性能得到了發(fā)展。即使通過蒸發(fā)工藝獲得的沉積速率是理想的，但事實是，濺射沉積技術(shù)在質(zhì)量和沉積速率方面取得了無疑的進步，響應了對此領(lǐng)域感興趣的行業(yè)和研究人員的需求，甚至用作中間層，用于通過化學氣相沉積（CVD）獲得的其他涂層。

CVD是另一種在真空下沉積的方法，并且是使待沉積材料中的揮發(fā)性化合物與其他氣體發(fā)生化學反應的過程，以產(chǎn)生沉積在基材上的非揮發(fā)性固體。