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射頻濺射

采用射頻電源代替直流電源，在靶和襯底間施加高頻電壓，濺射時，靶極會產生自偏壓效應（即靶極會自動處于負電位狀態），使絕緣靶的濺射得到維持。常用的頻率約為13.56兆赫。

優點可以濺射所有材料，包括導體和絕緣體濺射可大規模生產

磁控濺射

磁控濺射通過在靶陰極表面引入正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面，成螺旋狀運行來增強電離效率，增加離子密度和能量以增加濺射率。電源方面可同時配備直流和射頻兩種。

離子鍍基本原理：在真空條件下，采用某種等離子體電離技術，使鍍料原子部分電離成離子，同時產生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。

九、離子鍍的工藝過程：蒸發料的粒子作為帶正電荷的高能離子在高壓陰極（即工件）的吸引下，以很高的速度注入到工件表面。

產生原因：產品周轉運輸或在爐內生產時素材受到污染，產品表面有塵點、毛絲等，PVD出爐后灰塵脫落露出底材顏色。

解決方案：縮短產品在爐外停滯時間及爐內潔凈度管控，減少異物掉落在產品表面。

產生原因：主要原因是產品表面臟污，膜層無法在產品上沉積或結合力差，在自然或人為的因素下產品表面漏出底材。

解決方案：將產品清洗干凈，避免污染產品，確保表面潔凈度。

靶材承受的功率密度是有限的.靶面溫度過高會導致靶材熔化或引起弧光放電.在直接水冷的情況下,金屬靶材的靶功率密度允許值為10~30W/cm2.根據選定的靶電壓和允許的靶功率密度,即可確定靶電流密度.

降低Ar壓強有利于提高鍍膜速率,還有利于提高膜層結合力和膜層致密度.磁控濺射的Ar壓強通常選為0.5Pa,氣體放電的阻抗隨Ar壓強的降低而升高.磁控濺射時,可以適當調節Ar壓強,