臺灣汽車鍍膜設(shè)備值得信賴

PVD技術(shù)制備的鍍層的穩(wěn)定性好、膜基結(jié)合力高、致密度高,在冷熱交變環(huán)境下的防腐能力較強(qiáng);另外,在PVD施鍍過程中,鍍層厚度受磁體工件邊角的影響遠(yuǎn)低于電鍍和化學(xué)鍍,且制備過程不存在污染問題。

1、鍍膜技術(shù)在裝飾品方面的應(yīng)用

隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和生活水平的提高，人們喜歡將手表殼、表帶、服飾、燈飾、眼鏡架、室內(nèi)外裝飾件、五金箱包、手機(jī)殼、手機(jī)視屏、衛(wèi)生潔具、食品包裝等裝飾品精飾得五彩繽紛。

鍍膜技術(shù)在建筑玻璃和汽車玻璃上的應(yīng)用

　　建筑玻璃有透光和隔熱兩個基本功能。普通玻璃能透過絕大部分太陽光輻射能量，這對采光和吸收太陽光線的能量十分有利。而對于空間紅外輻射，普通玻璃雖能阻止室內(nèi)的熱量直接透過室外，但熱量被玻璃吸收后的二次散熱也會造成很大的損失。隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，普通玻璃已越來越不能滿足人們的要求。而陽光控制膜和低輻射膜正好能彌補(bǔ)了普通玻璃在這一方面的不足。陽光控制膜可以滿足低緯度地區(qū)降低室內(nèi)溫度的要求；然而，PVD表面處理受批量生產(chǎn)成本和某些因素的限制,現(xiàn)在并沒有大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。而低輻射膜則能滿足高緯度地區(qū)充分接受太陽輻射能量和阻止室內(nèi)熱量外流的要求。

鍍膜技術(shù)在集成電路制造中的應(yīng)用 晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。可見氣相沉積術(shù)制備集成電路的核心技術(shù)之一。

真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。

真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜。真空鍍膜設(shè)備若有灰塵，將會影響真空鍍膜的效果和質(zhì)量。真空鍍膜設(shè)備真空熱處理是指金屬制件在真空或先抽真空后通惰性氣體條件下加熱，然后在油或氣體中淬火冷卻的技術(shù)。由于真空熱處理時，工件基本不氧化，鋼件不脫碳，采用通氣對流加熱方式還可使加熱均勻，減少表面和心部的溫差，從而也減少畸變。目前它已成為工模具不可或缺和的熱處理工藝。鍍膜技術(shù)在太陽能利用方面的應(yīng)用當(dāng)需要有效地利用太陽熱能時，就要考慮采用對太陽光線吸收較多、而對熱輻射等所引起的損耗較小的吸收面。

  在真空條件下加熱工件，主要依賴輻射。由于輻射傳熱與溫度的4次方成比例，所以在850℃以下輻射效果不高，工件加熱速度很慢

蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理：通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之知一。 蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子道以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)專源的蒸發(fā)速率和時間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關(guān)。對于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的屬距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。真空鍍膜設(shè)備真空熱處理是指金屬制件在真空或先抽真空后通惰性氣體條件下加熱，然后在油或氣體中淬火冷卻的技術(shù)。簡言之，蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理就是真空室內(nèi)利用電阻加熱法，把緊緊貼在電阻絲上面的金屬絲熔融汽化，汽化了的金屬分子沉積于基片上，而獲得光滑反射率的膜層，達(dá)到裝飾美化物品表面的目的。