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鍍膜設備原理及工藝

主要濺射方式：

反應濺射是在濺射的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應氣體,通常用作反應氣體的主要是氧氣和氮氣。

直流濺射(DC Magnetron1 Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron1 Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)

直流濺射方法用于被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中,其工藝設備簡單,有較高的濺射速率。

中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術還應用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端,分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。這一現象是格洛夫（Grove）于1842年在實驗研究陰極腐蝕問題時，陰極材料被遷移到真空管壁上而發現的。孿生靶濺射技術大大提高磁控濺射運行的穩定性,可避免被毒化的靶面產生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業化大規模生產奠定基礎。

連續式的磁控濺射生產線 總體上可以分為三個部分: 前處理, 濺射鍍膜, 后處理。

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磁控濺射靶在鍍膜過程中的重要作用? ??

磁控濺射靶是真空磁控濺射鍍膜的核心部件，它的重要作用主要表現在以下兩個方面(1)對于大面積表面的鍍膜，磁控濺射靶影響著膜層的均勻性與重復性；(2)當膜層材料為貴重金屬時，靶的結構決定著靶材(形成薄膜的材料)，即該貴重金屬的利用率。

創世威納本著多年 磁控濺射鍍膜機行業經驗，專注 磁控濺射鍍膜機研發定制與生產，先進的 磁控濺射鍍膜機生產設備和技術，建立了嚴格的產品生產體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話！！！

磁控濺射鍍膜的特點

1、靶材粒子能量高（比熱蒸發高出1個數量級），所制備膜層更致密，與石英片結合力更高：

2、一般備有輔助離子源，可以用來清洗石英片，清洗效果好；

3、易于制備熔點高的材料；

4、制備合金膜層，可以保證膜層材料比例與靶材相同；

5、由于裝有中和器，也可以用來制備絕緣膜層。

直流濺射法

直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。創世威納專業生產、銷售磁控濺射鍍膜機，以下信息由創世威納為您提供。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。