感應耦合等離子體刻蝕機品牌服務介紹 創世威納公司

感應耦合等離子體刻蝕的原理

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感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

感應耦合等離子體刻蝕機的結構二

創世威納——專業感應耦合等離子體刻蝕供應商，我們為您帶來以下信息。

刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的核心結構，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。

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感應耦合等離子體刻蝕機的結構三

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供氣系統供氣系統是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質量流量控制器（MFC）精準的控制氣體的流速和流量。氣體供應系統由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統、混合單元等組成。

等離子刻蝕工藝

等離子體刻蝕分為兩個過程：首先，等離子體中產生化學活性組分；其次，這些活性組分與固體材料發生反應，形成揮發性化合物，從表面擴散排走。例如，CF4離解產生的F，與S反應生成SiF4氣體，結果是在含Si材料的表面形成了微觀銑削結構。等離子體刻蝕是一個通用術語，包括離子刻蝕、濺射刻蝕以及等離子體灰化等過程。

基底和工藝參數決定了表面改性的類型，基底溫度、處理時間和材料擴散特性決定了改性深度。等離子體僅能在表面刻蝕幾個微米的深度，改性后的表面特性發生了改變，但大部分材料的特性仍能得以保持。這項技術還可以用于表面清洗、固話、粗化、改變親水性及粘結性等，同樣也可以使電子顯微鏡下觀察的樣品變薄以及應用于半導體集成電路的制造過程中。在化學濺射中會發生反應并產生揮發性產物。常用的氣體包括Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機蒸氣等。與存在化學反應的等離子體濺射相比，惰性離子濺射更像是一個物理過程。

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