射頻磁控濺射歡迎來電「多圖」

磁控濺射鍍膜機工藝

關鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

關鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化基于實驗探索。實驗是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設備上進行的。該設備的鍍膜室采用內(nèi)腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統(tǒng)采用兩套K600 擴散泵機組,靶材采用德國Leybold 公司生產(chǎn)的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。更重要的是，它在不同的光照度下，視覺色彩恒定始終不變，可以保證車內(nèi)工作員的視線清晰。

想要了解更多 磁控濺射鍍膜機的相關內(nèi)容，請及時關注創(chuàng)世威納網(wǎng)站。

磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

以下內(nèi)容由創(chuàng)世威納為您提供服務，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

靶zhong毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發(fā)生靶zhong毒時，濺射電壓會顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶zhong毒后濺射速率低。（3）反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。

直流濺射法

濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；非平衡磁控濺射技術概念，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。當這種碰撞級聯(lián)到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。