直流磁控濺射優選企業 創世威納科技公司

磁控濺射鍍膜機原理

由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進行能量交換的過程，入射離子轉移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉化為晶格的振動。濺射原子大多數來自靶表面零點幾納米的淺表層，可以認為靶材濺射時原子是從表面開始剝離的。如果轟擊離子的能量不足，則只能使靶材表面的原子發生振動而不產生濺射。如果轟擊離子能量很高時，濺射的原子數與轟擊離子數之比值將減小，這是因為轟擊離子能量過高而發生離子注入現象的緣故。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊Ar產生離子的概率。

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磁控濺射靶在鍍膜過程中的重要作用? ??

磁控濺射靶是真空磁控濺射鍍膜的核心部件，它的重要作用主要表現在以下兩個方面(1)對于大面積表面的鍍膜，磁控濺射靶影響著膜層的均勻性與重復性；(2)當膜層材料為貴重金屬時，靶的結構決定著靶材(形成薄膜的材料)，即該貴重金屬的利用率。

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磁控濺射技術鍍膜

磁控濺射技術鍍膜是一種重要的物理的氣相沉積鍍膜技術，這種工藝可工業化批量生產。本文重點探討了磁控濺射在光學鍍膜中的應用，包括膜層設計和鍍膜工藝。

光學鍍膜設計

（1）減反射膜

減反射也稱增透膜，這種膜主要鍍在透明低折射率基底上，如玻璃上鍍減反射膜，常見的膜層結構采用高、低折射率膜層疊加而成

（2）彩色鍍膜 彩色鍍膜主要也是在玻璃等透明基底上鍍膜，其膜層材料和結構類似減反射鍍膜。這種玻璃在可見光下透射和反射的顏色不同。

3）漸變反射膜 漸變反射膜是一種在不同角度觀察，反射的顏色不同的膜層。這種膜層可以鍍在玻璃，也可以鍍在金屬基底。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶zhong毒的影響因素  

影響靶zhong毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶zhong毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全zhong毒。從應用角度出發,通常要求ITO薄膜的成份是In2O3和SnO2,薄膜中銦錫低價化合物愈少愈好。

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