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發布時間:2020-07-17 08:38  






磁控濺射種類
用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點火和濺射很方便。這是因為靶(陰極),等離子體,和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。于是人們采用高頻電源,回路中加入很強的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴,濺射速率很小,同時接地技術很復雜,因而難大規模采用。為解決此問題,發明了磁控反應濺射。就是用金屬靶,加入Ar和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化,與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。隨著碰撞次數的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,并在電場E的作用下最終沉積在基片上。磁控反應濺射絕緣體看似容易,而實際操作困難。主要問題是反應不光發生在零件表面,也發生在陽極,真空腔體表面,以及靶源表面。從而引起滅火,靶源和工件表面起弧等。其原理是一對靶源互相為陰陽極,從而消除陽極表面氧化或氮化。冷卻是一切源(磁控,多弧,離子)所必需,因為能量很大一部分轉為熱量,若無冷卻或冷卻不足,這種熱量將使靶源溫度達一千度以上從而溶化整個靶源。
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磁控濺射鍍膜機工藝
關鍵工藝參數的優化
關鍵工藝參數的優化基于實驗探索。實驗是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設備上進行的。該設備的鍍膜室采用內腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統采用兩套K600 擴散泵機組,靶材采用德國Leybold 公司生產的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。不是,在生產中最不希望出現設備故障,把日常維護保養和定期維護保養都做好了,不僅延長了設備的使用壽命,還減少了運行故障,提高生產效率。
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磁控濺射鍍膜技術
磁控濺射鍍膜技術由于其顯著的優點已經成為制備薄膜的主要技術之一。非平衡磁控濺射改善了等離子體區域的分布,顯著提高了薄膜的質量。中頻濺射鍍膜技術的發展有效克服了反應濺射過程中出現的打弧現象,減少了薄膜的結構缺陷,明顯提高了薄膜的沉積速率。磁控濺射鍍膜儀廠家帶你了解更多!而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發熱甚至發生二次濺射,影響制膜質量。
磁控濺射鍍膜是現代工業中不可缺少的技術之一,磁控濺射鍍膜技術正廣泛應用于透明導電膜、光學膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜。
磁控濺射技術發展過程中各項技術的突破一般集中在等離子體的產生以及對等離子體進行的控制等方面。通過對電磁場、溫度場和空間不同種類粒子分布參數的控制,使膜層質量和屬性滿足各行業的要求。
對于濺射鍍膜來說,可以從真空系統,電磁場,氣體分布,熱系統等幾個方面進行沒計,機械制造和控制貫穿整個工程設計過程。
濺射碰撞一般是研究帶電荷能離子與靶材表層粒子相互作用,并伴隨靶材原子及原子團簇的產生的過程。
薄膜的屬性和基片的溫度、晶格常數、表面狀態和電磁場等有著密切關系。
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