吸塵器不銹鋼網片推薦廠家

吸塵器濾網蝕刻工藝產品蝕刻特點

一、低開模費,可以按設計人員的設計要求進行任意更改，成本低，模版的制作周期短。

二、新產品蝕刻設計開發變更靈活，費用低，可以實現金屬表面的半蝕刻刻，增加公司LOGO，實現品牌化生，以防盜用。

三、極高的精密度,高可達 /-0.0075mm的精度，滿足不同產品的組裝要求，材料越薄，精度控制相對越高。我們可以加工薄0.02mm厚的金屬材料，直至1mm厚，都可以實現批量化的生產加工，而且加工的質量穩定，批次清楚，品控體系嚴格。

四、復雜外形產品同樣可以蝕刻，無需額外增加成本。小型化，多樣化的同樣可以應對。為國內外不同的客戶實現定制服務的機會。而不會只做大批量的產品。我們有專門的樣品樣制工程組，能實現小批量產品的快速交貨，同時品質又能得到保證。

五、沒有毛刺，壓點，產品不變形,不改變材料性質，不影響產品的功能。特別針對有表面組裝要求的，光潔度要求的產品，興之揚蝕刻加工很好的解決了沖壓和線割以及激光切割加工的各種不足。其次耐蝕性也是在某一回火溫度范圍內變得很不好，由于回火脆性和耐蝕性變壞的溫度范圍大致上是相同的，因而必需防止在此溫度范圍內回火。同時，精度又能滿足產品的要求，甚至比上述幾種工藝更好，擁有不可替代性。

六、厚薄材料都可以一樣加工，滿足不同裝配組件的要求。當然，這種情況下也是相對的，這種蝕刻工藝針對厚薄材料是指允許加的范圍內。

七、幾乎所有金屬都能被蝕刻，對各種圖案設計無限制。針對特別精細的圖案，蝕刻工藝也能很好的提供解決方案。然而，對于一個給定的堿性蝕刻體系，pH值必須高于低值(依賴于銅的濃度)，目的是為了維持溶液中的銅鹽含量。不同的金屬材質，需要配備不同的化學配方。比如：稀有金屬：鉬等，也同樣可以蝕刻加工。圖案可加的極限比沖壓更寬廣，深加工的能力更強，配合精密儀器，汽車發動機過濾網，電器，攝像頭部件等，十分適合加工。

八、制造各類機械加工所無法完成的金屬部件。沖壓，激光完成不了精細，超薄材料的加工，蝕刻更容易應對。

金屬蝕刻網片的熔煉過程：

1）一：這個階段主要是起弧。電爐通電后，電極發射熱電子，從陰極發出大量電子，高速電子可使中性的空氣分子離解成離子，從而空氣具有導電能力，產生電弧，釋放出大量的光和熱。

2）二：這個階段主要是電極穿井和極下爐料的熔化。通電起弧后，電極下的爐料受熱熔化。針對有表面組裝和光潔度要求的產品，蝕刻加工很好的解決了沖壓和線割以及激光切割加工的各種不足，精度又能滿足產品的要求，擁有不可替代性。隨著熔化的進行，經過15-25分鐘的時間，電極降到低位置。在此階段，電弧始終被爐料包圍，電弧所放出的熱量絕大部分用于加熱和熔化爐料，對爐蓋的熱輻射很少，應該向爐內輸送大功率。

3）三：這一階段主要是電極四周爐料的熔化和電極的回升。隨著熔化的進行，液面不斷上升，電極也就相應地上升。蝕刻早期用做銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地使用于減輕重量儀器鑲板，銘牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等的加工。在回升過程中，周圍的爐料逐漸熔化，當爐內只有爐坡和爐底還剩部分未熔爐料，即全部爐料熔化80%左右，這一階段結束。在這個階段，電弧在大部分時間中仍被冷料包圍，應仍向爐內輸送大功率。

4）四：這個階段主要是低溫爐區爐料的熔化。電弧是點熱源，爐膛內的溫度分布不均勻，爐門附近，出鋼口兩側等處的爐料熔化較慢。當鋼片為陰極時（陰極除油），其表面進行的是還原反應，析出氫氣。應及時將這些地方的冷料推入熔池。在此階段液面仍緩慢上升，鋼水溫度已經升高，電弧開始暴露在液面上，輻射加強，應該適當降低輸入功率和電壓。

第二和第三階段是熔化過程的主要階段，占全部時間的70-80%，是決定熔化期時間長短的主要因素。

為什么選用蝕刻不銹鋼？

海水淡化的方法主要有兩種：熱法和膜法。熱法包括多級閃蒸法（MSF）和多效蒸餾法（MED）。膜法包括反復滲透滲出（RO）和電滲析法/反復電滲析法（ED/EDR）。不銹鋼因為具有耐侵蝕特性用在各種淡化方法的工程中。

所有的淡化方法都是同樣的過程。引入的海水分為兩部門，一部門作處理，另一部門濃縮。處理的海水鹽濃度降低而濃縮的海水鹽度遠高于原海水。5)接觸窗(Contact)及引洞(Via)蝕刻：應用于定義接觸窗及引洞之尺寸大小。海水淡化過程所用設備材料需具有耐侵蝕的特性。材料的選擇和設計原則取決于材料的服役環境。不銹鋼因為其耐侵蝕和耐用性使其成為理想的材料。

興之揚蝕刻不銹鋼網片小編來向大家說說電漿干法蝕刻制程參數：

電漿蝕刻制程參數一般包括了射頻(RF)功率、壓力、氣體種類及流量、蝕刻溫度及腔體的設計等因素，而這些因素的綜合結果將直接影響蝕刻的結果。

射頻(RF)功率是用來產生電漿及提供離子能量的來源，因此功率的改變將影響電漿中離子的密度及撞擊能量而改變蝕刻的結果。壓力也會影響離子的密度及撞擊能量，另外也會改變化學聚合的能力；蝕刻反應物滯留在腔體內的時間正比于壓力的大小，一般說來，延長反應物滯留的時間將會提高化學蝕刻的機率并且提高聚合速率。氣體流量的大小會影響反應物滯留在腔體內的時間；增加氣體流量將加速氣體的分布并可提供更多未反應的蝕刻反應物，因此可降低負載效應(LoadingEffect)；改變氣體流量也會影響蝕刻速率。原則上溫度會影響化學反速率及反應物的吸附系數(AdsorptionCoefficient)，提高芯片溫度將使得聚合物的沉積速率降低，導致側壁的保護減低，但表面在蝕刻后會較為干凈；增加腔體的溫度可減少聚合物沉積于管壁的機率，以提升蝕刻制程的再現性。這些內容包含于工藝流程的每一個步驟中，以及參與這些步驟的所有操作者的行為過程。晶圓背部氦氣循環流動可控制蝕刻時晶圓的溫度與溫度的均勻性，以避免光阻燒焦或蝕刻輪廓變形。其它尚須考慮的因素還有腔體的材質，一般常見的材質包含鋁、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔體材質會產生不同的反應產物并會改變蝕刻的直流偏壓。