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              東莞低壓降肖特基二極管品牌企業

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              發布時間:2020-11-14 15:23  









              MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片;其高抗沖擊性能尤為顯著,框架材質為100%純銅材料,黑膠部分采用復合材料環氧塑脂材料一次性澆鑄成型;采用臺灣健鼎的一體化測試設備,減少人工操作環節.在品質工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動生產線設備,全程工藝由電腦控制,模具更為精密完全杜絕毛刺,外觀光滑自然美觀。

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              采用這種結構的SBD,擊穿電壓由PN結承受。通過調控N-區電阻率、外延層厚度和P 區的擴散深度,使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙,達到150V和200V。在正向偏置時,高壓SBD的PN結的導通門限電壓為0.6V,而肖特基勢壘的結電壓僅約0.3V,故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。


              ASEMI肖特基二極管的結構與封裝介紹

                肖特基對管又有共陰(兩管的負極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(一只二極管的正極接另一只二極管的負極)三種管腳引出方式。ASEMI品牌肖特基二極管將這兩種封裝都統一使用的是行業認可的TO-220封裝,而區別則是三只腳以CT來代表,兩只腳的以AC為代表。

                采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。


              關于肖特基二極管的應用,ASEMI總結出以下幾點:

              肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4—1.0V)、反向恢復時間很短(0-10納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。


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