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陶瓷電容和瓷片電容有區(qū)別嘛，同方迪一為你解答

陶瓷電容：陶瓷電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

二者聯(lián)系和區(qū)別：瓷片電容的高頻特性好，但電容值*大只能做到0.1uF。瓷片電容也屬于陶瓷電容的一種。瓷片電容的在識別上與電阻的識別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。以上就是同方迪一整理出來的資訊，同方迪一制造陶瓷電容和瓷片電容，為你提供好的CG電容產(chǎn)品。

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對電參數(shù)惡化的影響。空氣中溫度過高， 會使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降, 對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水分會滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫，高濕環(huán)境對瓷片電容的損壞影響較大。

二:銀離子的遷移。無機(jī)介質(zhì)電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電極反應(yīng)，銀離子遷移不僅發(fā)生在無機(jī)介質(zhì)表面，還擴(kuò)散到無機(jī)介質(zhì)內(nèi)部，引起漏電流增大，嚴(yán)重時(shí)會使兩個(gè)銀電極之間完全短路，導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿。

三:有的高壓瓷片電容，在運(yùn)用測試操作時(shí)，電容器投入時(shí)的電流過大，無任何無電壓保護(hù)措施，也無串聯(lián)電抗器，使電容器過熱，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁，也會影響陶瓷電容損壞，甚至炸掉。

四:從單顆瓷片電容分析,電容碰到了強(qiáng)大的電流，導(dǎo)致內(nèi)部材料發(fā)熱，散熱不及時(shí)，造成熱擊穿損壞。

高壓瓷片電容制造工藝要點(diǎn)有哪些呢？?

高壓瓷片電容制造工藝要點(diǎn)有哪些呢？

高壓瓷片電容是以介電陶瓷為核心材料的環(huán)氧樹脂灌封的電容器。隨著時(shí)代有進(jìn)步與科技發(fā)展，高壓瓷片電容主要是指交流工作電壓1KV以上的電容器，或者直流工作電壓達(dá)到40KV以上的陶瓷電容器。高壓瓷片電容制造工藝要點(diǎn)有哪些呢？

1、熔塊的制備

熔塊的制備質(zhì)量對瓷料的球磨細(xì)度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分，對后續(xù)工藝不利。

2、原料要精選

影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素，除瓷料組成外，優(yōu)化工藝制造、嚴(yán)格工藝條件是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(yè)純原料時(shí)，須注意原料的適用性。

3、燒成工藝

應(yīng)嚴(yán)格控制燒成制度，采取性能優(yōu)良的控溫設(shè)備及導(dǎo)熱性良好的窯具。

選購瓷片電容的技巧

選購瓷片電容的技巧

如何選購瓷片電容呢，教大家一些方法，希望可以幫助到你。

在購買瓷片電容時(shí)要先考慮的是耐壓問題而不是容量，如果一個(gè)瓷片電容的兩端的電壓超過了它的額定電壓，產(chǎn)品就會被擊穿損壞，導(dǎo)致失效，甚至連累更多的元器件，所以考慮耐壓問題非常重要。

瓷片電容的電壓分檔為300V,400V,500V,1KV,2KV等，瓷片電容的耐壓分檔為1800V,4000V等，在耐壓問題解決之后在選擇產(chǎn)品的容量，瓷片電容容量單位一般用微法(uf)表示如1uF=1微法，大多數(shù)電容的大小為0.1至0.01μF左右。1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF)，在選購時(shí)一定要有足夠的容量來進(jìn)行使用。