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人們把等離子體、離子束引入到傳統的物理氣相沉積技術的蒸發和濺射中，參與其鍍膜過程，同時通入反應氣體，也可以在固體表面進行化學反應，生成新的合成產物固體相薄膜，稱其為反應鍍。

在濺射鈦(Ti)等離子體中通入反應氣體N2后合成TiN就是一例。

這就是說物理氣相沉積也可以包含有化學反應。又如，在反應室內通入，借助于w靶陰極電弧放電，在Ar，W等離子體作用下使分解，并在固體表面實現碳鍵重組，生成摻W的類金剛石碳減摩膜，人們習慣上把這種沉積過程仍歸入化學氣相沉積，但這是在典型的物理氣相沉積技術——金屬陰極電弧離子鍍中實現的。

化學氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發化合物置于反應室，當高溫氣流進入反應室時，可控制的反應室可使其發生一種合適的化學反應，導致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時將反應產物及多余物從反應室蒸發排除。

化學氣相沉積（簡稱CVD），也即化學氣相鍍或熱化學鍍或熱解鍍或燃氣鍍，屬于一種薄膜技術。常見的化學氣相沉積工藝包括常壓化學氣相沉積（NPCVD），低壓化學氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）。

射頻等離子體增強化學氣相沉積（RF-PCVD）

在低壓容器的兩極上加高頻電壓則產生射頻放電形成等離子體，射頻電源通常采用電容耦合或電感耦合方式，其中又可分為電極式和無電極式結構，電極式一般采用平板式或熱管式結構，優點是可容納較多工件，但這種裝置中的分解率遠低于1%，即等離子體的內能不高。電極式裝置設在反應容器外時，主要為感應線圈，如圖5，也叫無極環形放電，射頻頻率為13.56MHz。

隨著市場和研究人員的要求，隨著基于傳統工藝的新系統的出現，新的涂料性能得到了發展。即使通過蒸發工藝獲得的沉積速率是理想的，但事實是，濺射沉積技術在質量和沉積速率方面取得了無疑的進步，響應了對此領域感興趣的行業和研究人員的需求，甚至用作中間層，用于通過化學氣相沉積（CVD）獲得的其他涂層。

CVD是另一種在真空下沉積的方法，并且是使待沉積材料中的揮發性化合物與其他氣體發生化學反應的過程，以產生沉積在基材上的非揮發性固體。