氣相化學(xué)沉積設(shè)備價(jià)格詢(xún)問(wèn)報(bào)價(jià),沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)公司

什么是化學(xué)氣相沉積？

化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?；瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)材料的新技術(shù)。其原理是利用檢測(cè)等離子體中某種反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)或揮發(fā)性基團(tuán)所發(fā)射波長(zhǎng)的光強(qiáng)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)終點(diǎn)檢測(cè)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過(guò)氣相摻雜的淀積過(guò)程準(zhǔn)確控制?；瘜W(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

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PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別

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PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所需要的激發(fā)能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式?；瘜W(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，今天我們來(lái)分享化學(xué)氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，同時(shí)整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點(diǎn)使得原來(lái)需要在高溫下進(jìn)行的CVD過(guò)程得以在低溫下進(jìn)行。