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磁控濺射鍍膜設備及技術

（專利技術）該設備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜（MSP）技術性，是這種智能、率的鍍膜設備。采用以上三種技術方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數百納米。可依據客戶規定配備轉動磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關電源等，組態靈便、主要用途普遍，主要用于金屬材料或非金屬材料（塑膠、夾層玻璃、瓷器等）的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜，所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強等特性，可普遍用以電器產品、時鐘、陶瓷藝術品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設備等表層裝飾藝術鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。2離子轟擊滲擴技術性的特性(1)離子轟擊滲擴更快因為選用低溫等離子無心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結晶中缺點的相對密度，比傳統式的汽體滲擴技術性速率明顯增強。在一樣加工工藝標準下，滲層深度1在0.05二以內，比汽體滲擴提升1倍。在較高溫度下，1h就能達lmm厚。(2)對鋼件表層改..

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直流磁控濺射技術

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀開發出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發展和廣泛應用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。創世威納擁有先進的技術，我們都以質量為本，信譽高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業務。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。

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磁控濺射鍍膜機工藝

關鍵工藝參數的優化

關鍵工藝參數的優化基于實驗探索。實驗是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設備上進行的。該設備的鍍膜室采用內腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統采用兩套K600 擴散泵機組,靶材采用德國Leybold 公司生產的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。本機主要特點配用改進型高真空排氣系統，抽速快、效率高、節電、降噪和延長泵使用壽命。

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磁控濺射

（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉換效率。

（2）裝飾領域的應用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。

（3） 在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣相沉積（CVD）或金屬有機

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