化學光刻膠生產廠家質量放心可靠 北京賽米萊德公司

光刻膠簡介

賽米萊德——專業光刻膠供應商，我們為您帶來以下信息。

光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工業的，以后才用于電子工業。 [1]  光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

光刻膠分類情況是怎樣

1、光聚合型。2、光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后，會發生光分解反應，由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。

3、光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。

上述內容主要所描述的就是小編對于光刻膠是什么材料？光刻膠分類情況是怎樣的具體介紹，不同情況下面，大家使用的一些材料上存在著很大的差距，所以在這以前，有些方面情況上到底是怎樣，這些是都得根據細節狀況來的，對于物品調查辦理前，一定也是不可以盲目做下定論，否則也容易為自己以后操作出現影響。

微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

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一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠，正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。

光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。

光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。

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