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質(zhì)譜儀的目的：

在不同的環(huán)境條件下，同位素的組成有一定的差異。舉例來說，不同來源的含氮物質(zhì)可以含有不同的氮同位素成分。因此，氮同位素作為污染物的指示劑，很好，到目前為止，化肥很普遍地被用于 shi土壤中的氮肥和其他含氮有機(jī)物質(zhì)，隨水土流失而流入江河和湖海，因此水域環(huán)境污染程度可以用δ15 N值來衡量。

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等離子體質(zhì)譜儀具備下列獨(dú)特的技術(shù)和功能：

特殊設(shè)計(jì)的進(jìn)樣系統(tǒng)，配有全基體進(jìn)樣系統(tǒng)，高固溶量樣品可直接進(jìn)樣，同時(shí)保證了信號的長期穩(wěn)定。

三重四極桿結(jié)構(gòu)。通氣池的獨(dú)特功能，利用一路氣體同時(shí)實(shí)現(xiàn)碰撞模式和反應(yīng)模式，能有效消除干擾，切換時(shí)間極短，有效提高您的探測效率。

智能電子稀釋功能，可同時(shí)進(jìn)行高、低含量元素的一次進(jìn)樣分析。

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對質(zhì)譜儀的分類一般是根據(jù)質(zhì)量分析器來劃分的，例如，通常我們稱之為飛行時(shí)間質(zhì)譜或四級桿式質(zhì)譜等等，但是同一臺質(zhì)譜儀可以配有多種離子源，例如，GC-MS通常配有電子轟擊電離源(EI)和化學(xué)電離源(CI)，本文詳述一下質(zhì)譜的離子源。

試樣在離子源中電離形成離子，比較常用的離子源有電子轟擊電離源(EI)和化學(xué)電離源(CI)，與 LC串聯(lián)質(zhì)譜分析，常用的離子源是電噴霧離子化(ESI)、大氣壓化學(xué)電離(APCI)、大氣壓光電離(APPI)和基質(zhì)輔助光解吸離子化(MALDI)。

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電子轟擊電離（Electron Ionization，EI）

EI源是呈氣態(tài)的試樣分子在較高真空和較高溫度的電離室內(nèi)，熱陰極發(fā)射的電子經(jīng)加速后與試樣分子作用，氣態(tài)的分子失去一個(gè)電子而生成帶有正電荷的自由基，即分子離子，當(dāng)分子離子具有的剩余能量大于其某些化學(xué)鍵的鍵能時(shí)，分子離子便發(fā)生碎裂，生成碎片離子。EI源是目前發(fā)展較成熟的離子源，也有相應(yīng)的譜庫如NIST譜庫可以查詢。

自1960年代以來，人們已經(jīng)向半導(dǎo)體材料中注入了一定數(shù)量的硼、磷或其它元素，以形成摻雜。利用離子能量對摻雜深度進(jìn)行控制，利用離子流積分強(qiáng)度對摻雜濃度進(jìn)行控制。離子法的重復(fù)性、可靠性優(yōu)于擴(kuò)散法。在半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)已經(jīng)成為一個(gè)重要環(huán)節(jié)，一些器件采用離子注入技術(shù)來替代過去的擴(kuò)散等技術(shù)已經(jīng)成為一種必然趨勢。

在金屬材料的離子注入改性方面取得了令人矚目的成果。離子注入法改性常用金屬可提高金屬的硬度、抗腐蝕性能和抗1疲勞強(qiáng)度，降低金屬的磨損率。一些絕緣材料，如陶器、玻璃和有機(jī)材料，在被離子束照射后，會發(fā)生重要的性質(zhì)變化，從而得到新的用途。

離子束照射和摻雜的過程是非熱平衡過程，因此用這種方法可以獲得用一般冶金和化工方法無法得到的新材料。能量較低(50~400keV)的專門用于離子注入的小型加速1器"離子注入機(jī)"，已成為一種專門設(shè)備，體積相當(dāng)于一臺電子顯微鏡或高壓示波器，使用維護(hù)都很方便。在類金剛石材料、高溫超導(dǎo)材料、磁性材料、感光材料等的研究中，已廣泛應(yīng)用離子束，一門新興的冶金學(xué)──"離子注入冶金學(xué)"正在形成。② 離子束分析