成都冶金用硅粉報價服務(wù)放心可靠 三和耐材

硅溶膠是一種膠體大小的無定形的二氧化硅粒子在水中的穩(wěn)定體系，由于硅溶膠具有較大的比表面積，較好的滲透性，吸附性和粘結(jié)性，較高的耐火絕緣性等優(yōu)良的性能，在紡織，造紙，鋼鐵鑄造，金屬表面處理在，陶瓷，涂料，顏料，膠粘劑等行業(yè)上得到了相當廣泛的應(yīng)用。制備硅溶膠的方法主要有三種，分別是離子交換法，酸中和法，電滲析法，硅粉溶解法和膠溶法。用金屬硅粉制備硅溶膠的話，工藝簡單，成本較低，硅溶膠在質(zhì)量較好，更適合中小型企業(yè)進行生產(chǎn)。

粉狀的工業(yè)硅就是工業(yè)硅粉，所以，要生產(chǎn)工業(yè)硅，必須要先生產(chǎn)出塊狀的工業(yè)硅。那么，工業(yè)硅的傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝流程是怎樣的呢。為了解答大家的疑惑，將主要針對工業(yè)硅的傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝進行講解。

傳統(tǒng)的工業(yè)硅生產(chǎn)工藝流程是，將原料硅石經(jīng)過洗選，篩分并干燥后，根據(jù)所用還原劑的種類，分別按不同的比例配料，用計算機程序控制各料比料，分別從料倉匯集到一條皮帶上，通過送料過程進行混勻，進入電爐內(nèi)；自動化程序高和規(guī)模化的加料過程是連續(xù)進行的。在電極通往電流，加熱爐內(nèi)的物料，達到1800攝氏度以上的高溫，硅在爐內(nèi)被還原出來，并呈液態(tài)，通過出硅口放出并鑄成硅錠，經(jīng)過破碎，包裝成工業(yè)硅粉銷售。

自電爐溢出的氣體，經(jīng)過除塵，回收其中的硅粉，得到微硅粉；微硅粉摻合到混凝土中，可有效改善混凝土的多種性能，還可作為返回電爐的配合原料，用于橡膠的填料，防肥料結(jié)塊劑，硅酸鹽磚和耐火材料的原料，生產(chǎn)催化劑及其它用途。

由于硅溶膠具有較大的比表面積，較好的滲透性，吸附性和粘結(jié)性，較高的耐火絕緣性等優(yōu)良性能，主要被應(yīng)用在紡織，造紙，鋼鐵鑄造，金屬表面處理，陶瓷，涂料等行業(yè)。而制備硅溶膠的方法主要有三種，離子交換法，酸中和法，電滲析法，硅溶膠金屬硅粉溶解法和膠溶法。而利用硅溶膠金屬硅粉制備硅溶膠的話，也會由于一些因素，影響制備。

1、反應(yīng)溫度的影響，在用硅溶膠金屬硅粉制備硅溶膠時，溫度低于80攝氏度時，反應(yīng)比較平穩(wěn)，但到5小時，反應(yīng)不夠完全ph較高，而高于90攝氏度時，反應(yīng)非常劇烈，操作也比較困難；溫度在80攝氏度左右時，反應(yīng)較快，而過程也易于控制，硅溶膠的品質(zhì)是非常穩(wěn)定，因此，制備硅溶膠的生產(chǎn)溫度為80攝氏度。

2、反應(yīng)時間的影響，硅溶膠金屬硅粉在制備硅溶膠時，反應(yīng)時間為4小時后波美度較低，sio2的含量較低，而ph較高；而反應(yīng)時間較長固然能夠提高sio2的含量，但提高的程度并不大，而生產(chǎn)成本卻隨之增加，考慮經(jīng)濟因素，反應(yīng)時間取5小時為宜.

3、硅溶膠金屬硅粉用量的影響，硅溶膠金屬硅粉的用量越多，硅溶膠中的sio2的含量就越高，硅溶膠的質(zhì)量越好，但是加入過多的硅溶膠金屬硅粉會給真空抽濾和硅溶膠金屬硅粉的回收重新利用帶來一定的困難，同樣考慮到經(jīng)濟原因，硅溶膠金屬硅粉的用量應(yīng)以1600份為宜。

4、催化劑的選擇，在利用硅溶膠金屬硅粉制備硅溶膠時，多采用稀NaOH或KOH溶液作為制備硅溶膠的催化劑，水玻璃的加入能夠提高硅溶膠的sio2的含量，而氨水的加入則能夠加快反應(yīng)的進行。

這些就是利用硅溶膠金屬硅粉制備硅溶膠時，需要注意的一些問題，希望大家在制備硅溶膠時，可以通過注意這些因素，生產(chǎn)出品質(zhì)可靠的硅溶膠。

早期的半導(dǎo)體材料是由鍺制成的，因為當時硅的提純技術(shù)還不夠成熟。個集成電路是在鍺上制造的。用高純硅粉制作半導(dǎo)體材料大概有以下幾個原因:地殼中硅的含量很高。據(jù)我們目前對半導(dǎo)體硅的使用情況，如果還是用鍺的話，地球上可能沒剩下多少鍺了（個人并沒有具體計算）。

硅和二氧化硅之間的界面。高純硅粉的界面性能良好。與其他半導(dǎo)體材料對應(yīng)氧化層的界面相比，硅與二氧化硅的界面是的。隨著技術(shù)的發(fā)展，界面缺陷的控制越來越好。例如潔凈室改造后，缺陷的影響一直很低。同時，在注入雜質(zhì)時，二氧化硅可以作為屏蔽層，有效阻擋磷、硼等雜質(zhì)。二是高純硅粉是一種非常穩(wěn)定的絕緣體材料（它的能隙大約是9ev，我不知道我是否記得正確），而二氧化鍺不僅在高溫下不穩(wěn)定，而且還可以溶于水，而二氧化硅根本沒有這樣的問題;二氧化硅的大能隙會使其漏電流變小（當然，如果氧化層太薄，漏電流會增大）。