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電子設(shè)備對(duì)電源電路的要求

由于電子技術(shù)的特性，電子設(shè)備對(duì)電源電路的要求就是能夠提供持續(xù)穩(wěn)定、滿(mǎn)足負(fù)載要求的電能，而且通常情況下都要求提供穩(wěn)定的直流電能。提供這種穩(wěn)定的直流電能的電源就是直流穩(wěn)壓電源。直流穩(wěn)壓電源在電源技術(shù)中占有十分重要的地位。另外，很多電子愛(ài)好者初學(xué)階段首先遇到的就是要解決電源問(wèn)題，否則電路無(wú)法工作、電子制作無(wú)法進(jìn)行，學(xué)習(xí)就無(wú)從談起。

脈沖類(lèi)負(fù)載的電流峰值即使在可編程直流開(kāi)關(guān)電源輸出額定電流值范

脈沖類(lèi)負(fù)載的電流峰值即使在可編程直流開(kāi)關(guān)電源輸出額定電流值范圍內(nèi)，或者脈沖類(lèi)電路或電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路負(fù)載電流波形，在計(jì)量設(shè)備所指示的標(biāo)稱(chēng)值(平均值)內(nèi)。電流也會(huì)達(dá)到可編程直流開(kāi)關(guān)電源額定電流區(qū)域，從而使輸出電壓下降或者顯得不穩(wěn)定。解決方法是在電源供應(yīng)器與負(fù)載之間串接電感器，或者選擇輸出電流更大的可編程直流開(kāi)關(guān)電源。如果脈沖類(lèi)電路脈沖寬度較窄或者電流峰值比較小，可以在負(fù)載端加裝大容量電容器，加以改善, 可按照1 安培約1000UF選擇電容器。

電源轉(zhuǎn)換器有效設(shè)計(jì)的關(guān)鍵

在這些情況下，有效設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于電源轉(zhuǎn)換器控制電路或轉(zhuǎn)換器的核心器件，以及功率開(kāi)關(guān)器件及其支持組件。這些器件主要用于實(shí)現(xiàn)選定的電源拓?fù)洌运璧碾妷汉碗娏魈峁┓€(wěn)定的直流輸出。轉(zhuǎn)換器可以包含集成功率器件（例如 MOSFET），抑或作為碳化硅 (SiC) 功率器件等外部分立功率器件的控制器和驅(qū)動(dòng)器。有些轉(zhuǎn)換器為整個(gè)系統(tǒng)提供穩(wěn)定的直流電源軌，另一些的功能則不甚顯著，但仍起著至關(guān)重要的作用，充當(dāng)具有特殊通斷屬性的柵極驅(qū)動(dòng)器。

SiC開(kāi)關(guān)器件功率處理能力的一個(gè)實(shí)例

作為與硅器件的粗略“數(shù)量級(jí)”比較，基于 SiC 的 MOSFET 器件阻斷電壓是前者的 10 倍，開(kāi)關(guān)速度約是其 10 倍，25℃ 時(shí)的導(dǎo)通電阻只有其一半或更小。同時(shí)，工作溫度高可達(dá) 200℃（硅器件為 125℃），因而使熱設(shè)計(jì)和熱管理得以簡(jiǎn)化。SiC 開(kāi)關(guān)器件功率處理能力的一個(gè)實(shí)例是 ROHM Semiconductor 的 SCT3105KRC14，1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET，RDS(on) 典型值為 105 mΩ。該器件具有良好的熱阻特性，相對(duì)于施加的脈沖寬度能夠迅速達(dá)到大值（圖 3）。