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刻蝕工藝過程

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等離子體刻蝕工藝包括以下六個步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學反應的元素； 擴散： 這些元素擴散并吸附到硅片表面； 表面擴散：到達表面后， 四處移動； 反應： 與硅片表面的膜發生反應； 解吸： 反應的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應腔。

反應性離子刻蝕

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反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質的化學鍵，使之產生低分子物質，揮發或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。

離子束刻蝕機

離子束分析具有一定能量的離子與物質相互作用會使其發射電子、光子、X射線等，還可能發生彈性散射、非彈性散射以及核反應，產生反彈離子、反沖核、γ射線、氫核、氚核、粒子等核反應產物，可以提供有關該物質的組分、結構和狀態等信息。利用這些信息來分析樣品統稱離子束分析。在離子束分析方法中，比較成熟的有背散射分析X射線熒光分析、核反應分析和溝道效應（見溝道效應和阻塞效應）與其他分析相結合的分析方法等。此外，利用低能離子束還可作表面成分分析,如離子散射譜(ZSS)、次級離子質譜(SZMS)等。超靈敏質譜（質譜）、帶電粒子活化分析、離子激發光譜、離子激發俄歇電子譜等正在發展中。用于離子束分析的MV級已有專門的商業化設備。