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              發布時間:2020-07-23 23:13  






              鍍膜工藝流程中工藝參數的控制和對膜層沉積的影響

              靶基距:靶基距是影響成膜速率的重要因素之一,隨著靶基距增加,被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數增多,同時等離子體密度也減弱,動能減少,沉積速率降低,但膜層外觀較好。靶基距太小,沉積太快,工件溫升大,膜層外觀差。

              靶功率;ya氣越少,靶材濺射量越少,但真空度越高,氣體分子自由程越大,散射越少,粒子碰撞幾率越小,粒子遷移過程中損失的動量越少,沉積速率越大。磁控濺射本身粒子初始動能比較小,離化率低,電源功率越大,濺射出的粒子的初始能量越大,靶材濺射量也越大,沉積速率越快,膜層容易上厚度和硬度,同時工件溫升也大,過高的功率會使沉積速率太快,粒子來不及表面遷移和擴散,易形成陰影效應,膜層會比較疏松,應力較大。



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              真空鍍膜有三種形式,即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

              真空蒸鍍是將沉積材料與工件同放在真空室中,然后加熱沉積材料使之迅速熔化蒸發,當蒸發原子與冷工件表面接觸后便在工件表面上凝結形成具有一定厚度的沉積層日。


              光學薄膜應用反應磁控濺射技術已有多年,中頻閉合場非平衡磁控濺射技術也已在光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。特別是透明導電玻璃目前廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。


              有機鍍膜與無機鍍膜的根本區別

              真正的玻璃鍍膜應為純無機質成分,成膜后不應含有任何j基團(CH3)。利用紅外線光譜吸收分析法,可以了解各種鍍膜原料的內部化學成分,這是區別真假無機質鍍膜產品的重要科學依據。



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