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電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學反應可以簡單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜。 PECVD 方法區別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節省能源，降低成本。

3. 提高產能。

4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。

擴散方式

PE 設備有兩類：平板式和管式。

按反應方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發電極。 在微波激發等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發 NH3 ，而 SiH4 直接進入反應腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對大規模生產尤其重要。

電池片常見異常情況處理方法

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六、 虛印：

1、 網版堵塞：用醇先擦一遍，再用干無塵布擦干；

2、 印刷刮刀條不平:更換刮刀條；

3、 網版不合格：更換網版；

4、 車間溫度與濕度不合適：溫度控制在22±2℃,濕度控制在50±3%；

5、 印刷參數不合格：調整印刷壓力、印刷間隙與印刷速度

6、 工作臺板不平，磨損嚴重：檢查更換工作臺板；

7、 印刷機導軌不平：設備重新調整導軌；

七、 粗線：

1、 原硅片為線痕片：控制線痕原硅片；

2、 網版使用次數太多，張力不夠：更換新網版。