小公差晶體諧振器封裝尺寸常用解決方案「多圖」

晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN晶體如需減小驅(qū)動功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負(fù)載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會減小，實際驅(qū)動功率也將減小。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會減小，實際驅(qū)動功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應(yīng)保證振蕩裕量超過 Re 的 5 倍；減小外部負(fù)載電容，振蕩電路阻抗將會增加，實際驅(qū)動功率將會減小。而負(fù)載電容減小，實際振蕩頻率將會增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負(fù)載晶體配合調(diào)整。

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KOAN 晶體采用不同大小激勵功率測試以提高穩(wěn)定性

弛豫效應(yīng)：加在晶片上的機械應(yīng)力隨時間的推移而松弛時，會引起頻率的漂移，因此要選擇合適的激勵功率，使晶片的自身應(yīng)力和電極施于晶片的應(yīng)力發(fā)生變化，應(yīng)力的變化又導(dǎo)致因應(yīng)力弛豫效應(yīng)引起的老化速率發(fā)生變化。凱擎東光——專業(yè)供應(yīng)晶體諧振器，我們公司堅持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。另外，激勵功率變化，將引起晶片振幅的變化，從而改變晶片上質(zhì)量遷移引起的老化速率，可能抵消兩種老化速率。

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晶體諧振器的原理

晶體諧振器應(yīng)用于多種電器設(shè)備中，關(guān)于晶體諧振器的工作原理是怎樣的，很多人都不了解，小編下來跟大家一起了解一下。

晶體諧振器之所以被大家所熟知，主要原因是它在電子設(shè)備中使用頻率穩(wěn)定，而且不會因為溫度的變化，導(dǎo)致震蕩頻率的大幅度變化。晶體諧振器中的晶體幾乎和所有彈性物質(zhì)都有自然共振頻率，可以通過適當(dāng)?shù)膫鞲衅骷右岳谩?

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