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光刻膠的組成部分

光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分，構成光刻膠的基本骨架，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩定性等。光活性物質是光刻膠的關鍵組分，對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。

分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術參數。隨著集成電路的發展，芯片制造特征尺寸越來越小，對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術參數包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發展的需要，光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發展。

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光刻膠成分介紹

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光刻開始于-種稱作光刻膠的感光性液體的應用。 圖形能被映射到光刻膠上,然后用一個developer就能做出需要的模板圖案。 光刻膠又稱光致抗蝕劑，以智能管感光材料,在光的照射與溶解度發生變化。

光刻膠成份

光刻膠通常有三種成分:感光化合物、基體材料和溶劑。在感光化合物中有時還包括增感劑。根據光刻膠按照如何響應紫外光的性可以分為兩類:負性光刻膠和正性光刻膠。

1、負性光刻膠

主要有聚酯膠和環化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的KPR為代表,后者以OMR系列為代表。

2、正性光刻膠

主要以重氮醌為感光化合物，以酚醛樹脂為基體材料。常用的有AZ- 1350系列。正膠的主要優點是分辨率高,缺點是靈敏度、而刻蝕性和附著性等較差。

光刻膠的特點

1、在光的照射下溶解速率發生變化,利用曝光區與非曝光區的溶解速率差來實現圖形的轉移;

2、溶解抑制/溶解促進共同作用;

3、作用的機理因光刻膠膠類型不同而不同;

光刻膠的主要技術參數

1、分辨率:區別硅片表面相鄰圖形特性的能力，一般用關鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

2、對比度:指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。

3、敏感度:光刻膠上產生一 個良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠

的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。

4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產生厚的光刻膠;越小的

粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。

5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。

6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕I序中保護襯底表面。

7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。

8、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。

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