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光刻膠國際化發展

業內人士認為，按照現在“單打獨斗”的研發路徑，肯定不行。雖然在甩膠之后，液態的光刻膠已經成為固態的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。政府相關部門要加大產業政策的配套支持力度，應從加快完善整個產業鏈出發，定向梳理國內缺失的、產業依賴度高的關鍵核心電子化學品，要針對電子化學品開發難度高，檢測設備要求高的特點，組織匯聚一些優勢企業和專家，形成一個產業聯盟，國家建立一個生產應用示范平臺，集中力量突破一些關鍵技術。

江蘇博硯電子科技有限公司董事長宗健表示，光刻膠要真正實現國產化，難度很大。光刻膠基于應用領域不同一般可以分為半導體集成電路（IC）光刻膠、PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。問題是國內缺乏生產光刻膠所需的原材料，致使現開發的產品碳分散工藝不成熟、碳漿材料不配套。而作為生產光刻膠重要的色漿，至今依賴日本。前道工藝出了問題，保證不了科研與生產，光刻膠國產化就遙遙無期。因此，必須通過科研單位、生產企業的協同創新，盡快取得突破。

有專家提出，盡管國產光刻膠在面板一時用不起來，但政府還是要從政策上鼓勵國內普通面板的生產企業盡快用起來。光刻膠工藝普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。只有在應用過程中才能發現問題，解決問題，不斷提升技術、工藝與產品水平，實現我國關鍵電子化學品材料的國產化，完善我國集成電路的產業鏈，滿足國家和重點產業的需求。

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三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。5-1um，3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉，轉速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動。

涂膠工序是圖形轉換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。據悉，經過項目組全體成員的努力攻關，完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發，達到了任務書中規定的材料和裝備的考核指標。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結構制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。

在工藝發展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現，負膠已不能滿足要求。隨后出現了正膠，但正膠的缺點是粘結能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉。光刻光路的設計，有利于進一步提升數值孔徑，隨著技術的發展，數值孔徑由0。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

光刻膠

光增感劑

是引發助劑，能吸收光能并轉移給光引發劑，或本身不吸收光能但協同參與光化學反應，起到提高引發效率的作用。

光致產酸劑

吸收光能生成酸性物質并使曝光區域發生酸解反應，用于化學增幅型光刻膠。

助劑

根據不同的用途添加的顏料、固化劑、分散劑等調節性能的添加劑。

主要技術參數

分辨率（resolution）

是指光刻膠可再現圖形的小尺寸。一般用關鍵尺寸來（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。