便攜式IGBT測試儀價格性價比出眾「多圖」

（2）主要技術參數 1）基本參數 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

1.1 設備數量 1套 * 1.2 設備功能 測試功率半導體器件靜態參數 * 1.3 設備組成 設備包含硬件模塊和軟件模塊兩大部分 * 1.4 硬件模塊 設備硬件部分應包括測試主機、測試線纜，測試夾具、控制電腦等 * 1.5 軟件模塊 設備軟件部分應包括： 1.操作系統、備份、保存、遠程控制編輯、上傳、故障自檢報警等基本功能； 2. 圖形化操作界面；中/英文操作系統 3.輸出EXCEL、wor測試報告 *4.切換大小功率測試模塊，達到相應測試精度 *5.可生成器件的I-V特性曲線，曲線上測試點數據可以導出到EXCEL表格；測試工作電壓：10kV（整體設備滿足GB19517—2009標準外，局部絕緣電壓應滿足測試需求）18）其他輔件。 *6.同一測試條件的器件的測試曲線可以在軟件內進行對比，新測曲線可以與原測曲線進行對比； 2、設備尺寸 2.1 設備總體長度 ≤ 700 mm 2.2 設備總體寬度 ≤600mm 2.3 設備總體高度 ≤500mm

IGBT半導體器件測試系統的主要應用領域概括如下：

?半導體元器件檢測中心——應用本公司測試系統可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經濟效益；

?半導體元器件生產廠 —— 應用本公司測試系統可對半導體元器件生產線的成品進行全參數的測試、篩選、分析，以確保出廠產品的合格率；

?電子電力產品生產、檢修廠——應用本公司測試系統可對所應用到的半導體元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；

?航天、領域 ——— 應用本公司測試系統可對所應用到的元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；

5 包裝、標志和運輸 賣方負責整套設備的包裝和運輸，并負擔由此產生的費用。出廠調試結束、出廠前預驗收完成后，賣方將為每個柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅固，能適應中國境內公路、鐵路運輸，并兼顧設備在現場保存時間的要求。1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3。包裝與運輸由專人負責，每個部分隨機文件包括發貨清單、出廠合格證、試驗報告和主要器件說明書等。