化學氣相沉積設備價格推薦,沈陽鵬程真空技術

ICP刻蝕機簡介

以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產化學氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

一．系統概況

該系統主要用于常規尺寸樣片（不超過Φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復性好等優點。具體描述如下：

1.系統采用單室方箱式結構，手動上開蓋結構；

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，真空尺寸為400mm×400×197mm，

內腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.極限真空度：≤6.6x10-4 Pa (經烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)；

系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系統從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，20分鐘可達到（采用分子泵抽氣)；

停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

5.樣品水冷：由循環水冷水機進行控制；

7.ICP頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm；

8. 沉積工作真空：1-20Pa；

9. 氣路設有勻氣系統，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

10. 射頻電源：2臺頻率 13.56MHz，功率600W，全自動匹配；

11. 6路氣體，共計使用6個質量流量控制器控制進氣。

氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻膠：≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性：

優于±5%（Φ4英寸范圍內）

優于±6%（Φ6英寸范圍內）

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,

等離子體化學氣相沉積

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業脈沖激光沉積供應商，我們為您帶來以下信息。

等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發并實現化學氣相沉積的技術。為獲得光纖芯層與包層材料的適當比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。