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電子束蒸發鍍膜

利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發，在基片表面凝結成膜的技術。電子束熱源的能量密度可達104-109w/cm2，可達到3000℃以上，可蒸發高熔點的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。

電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環行)，電子束自源發出，用磁場線圈使電子束聚焦和偏轉，對膜料進行轟擊和加熱。

其中熱陰極電子槍蒸發離子鍍，利用銅坩堝加熱融化被鍍金屬材料，利用鉭燈絲給工件加熱、除氣，利用電子槍增強離化率，不但可以得到厚度 3~5μm的TiN 涂層，而且其結合力、耐磨性均有不俗表現，甚至用打磨的方法都難以除去。因為在鍍膜過程中，真空系統必需要工作穩定，爐體保壓要好，如果在鍍膜過程中有雜氣摻入，顏色就會不理想，嚴重的還會脫鈦。但是這些設備都只適合于 TiN涂層，或純金屬薄膜。對于多元涂層或復合涂層，則力不從心，難以適應高硬度材料高速切 削以及模具應用多樣性的要求。

基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強的大小. 為了保證膜層質量,壓強應盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發源到基片的距離為L(cm)。

c、蒸發速率.蒸發速率小時,沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子,因而形成的膜層結構疏松,顆粒粗大,缺陷多;反之,膜層結構均勻致密,機械強度高,膜層內應力大.

d、基片的溫度.在通常情況下,基片溫度高時,吸附原子的動能隨之增大,形成的薄膜容易結晶化,并使晶格缺陷減少;基片溫度低時,則沒有足夠大的能量供給吸附原子,因而容易形成無定形態薄膜.