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利用壓控振蕩器來控制頻率

高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份, 通常是用變容二極管C 與電感 L, 所接成的 LC 諧振電路。提高變容二極管的逆向偏壓, 二極管內的空泛區會加大, 兩導體面之距離一變長, 電容就降低了, 此 LC 電路的諧振頻率, 就會被提高. 反之, 降低逆向偏壓時, 二極管內的電容變大, 頻率就會降低.

而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法，例如以改變對電容的充電速率為手段來得到一個電壓控制的電流源。參見波型產生器。

壓控石英振蕩器用途

“壓控石英振蕩器（voltage-controlled crystal oscillator, VCXO）”通常被使用在下列場合：當頻率需要在小范圍內的調整時、當正確的頻率或相位對于振蕩器而言是十分重要時、利用不同電壓來當作控制源的振蕩器、用來分散在某個頻率范圍內的干擾使該頻段不受到太大的影響。壓控石英振蕩器的典型頻率變化在數十個 ppm 之間，這是因為品質高系數（Quality Factor, or Q Factor）的石英振蕩器只會產生少量的頻率范圍位移。

壓控振蕩器優點

低相位噪聲：高頻低抖動的LVDS輸出壓控晶振，抖動小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達到245MHz, LVDS高頻率為2.1GHz, HCSL高可到700MHz。經常會結合PLL鎖相電路實現超高頻，如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm, CMOS輸出，工作電壓1.8~5.0V, 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。