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多線切割設(shè)備

目前，國內(nèi)硅片多線切割設(shè)備仍然是國外品牌廠家統(tǒng)治的天下，其核心技術(shù)長期為他們所壟斷，嚴(yán)重制約我國光伏產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。國家將對新能源及其裝備制造業(yè)給予有力的政策支持，并提出要強化科技創(chuàng)新，提升產(chǎn)業(yè)核心競爭力，加強產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)和前沿技術(shù)研究，強化企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力建設(shè)，以推進(jìn)重大科研成果產(chǎn)業(yè)化和產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展。不會出現(xiàn)劃痕，不受恒溫條件阻止，在常溫下也能保持其原有物理性能。

線切割設(shè)備

IC器件的基礎(chǔ)性材料是半導(dǎo)體硅單晶材料，因此，世界各國對硅單晶材料的消耗量反映了一個國家的IC制造業(yè)的規(guī)模和工藝水平，同時各國硅材料生產(chǎn)及硅圓片生產(chǎn)水平也代表了一個國家IC工業(yè)的材料基礎(chǔ)的實力。

線切割設(shè)備廣泛應(yīng)用于太陽能電池用單晶硅、多晶硅切割；功能陶瓷、人工晶體的切割。其加工速度快，切面質(zhì)量好，被市場認(rèn)可。

高速切割設(shè)備

切割行程的設(shè)置：

切割行程=樣品的長度 5mm。為保證將樣品切斷，通常會在樣品的實際高度之上增加5㎜。當(dāng)要求對樣品進(jìn)行開槽時，實際切割行程應(yīng)與開槽深度相同，為保證停止切割時所開槽口深度達(dá)到要求，當(dāng)切割行程達(dá)到設(shè)定行程時應(yīng)暫停切割，但主軸帶動金剛石切割線繼續(xù)運行一段時間，從而使樣品未達(dá)到切割深度的位置繼續(xù)被切割，直到樣品被切割部位每一點都達(dá)到所要求的切割深度。當(dāng)被加工材料不導(dǎo)電且需要采用線切割的方式進(jìn)行加工時，此時電火花線切割機不再適用。