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發布時間:2020-11-15 12:59  





水平蝕刻機的設計,應充份考慮到金屬產品的厚度,是半蝕刻多還是蝕穿的產品多。產品越薄,對蝕刻的要求也就越高,特別是厚度低于0.2mm以下的產品,由于板材比較薄,雖然是金屬,但還是表現出比較柔軟,容易出來卡板、變形等現像。因此在規劃設備時,要預估我們重點是做薄片還是厚片,要薄片比較多,那么傳動滾輪要比較密一點,而且上下滾輪數量必須對等。
作為一臺精密蝕刻的蝕刻機,其核心就是噴淋泵,特別是不銹鋼蝕刻,若噴淋泵的壓力小于2.5kg/cm2,蝕刻液對不銹鋼表面作用所產生的黑膜將無法完全清除,導致的結果就是蝕刻速度慢,半蝕刻蝕刻底紋表面不夠光滑細膩,出現隨機粗糙,幾乎沒有規律可尋。


其次蝕刻機的均勻性對蝕刻產品影響也比較大。蝕刻機的均勻要可以調節,那么就要讓噴淋管能實現獨立壓力控制,這樣根據不同尺寸的產品對壓力進行微調(大尺寸的板水池效應大),從而得到一個較佳的均勻性。通常設備精度好不好,就是通過蝕刻均勻性好不好來衡量的。
由于蝕刻是一個放熱 的化學反應,所以完善冷卻系統是很有必要的,而且冷卻管表面積需要符合滿載的時的放熱量的及時冷卻,溫度不宜超過2度,超過2度以上還不能冷卻到設定溫度,說明設計冷卻盤的面積過小,滿載生產時會出現超溫導致必須停止生產。

光刻機和刻蝕機的區別:
刻蝕相對光刻要容易。光刻機把圖案印上去,然后刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案(或者沒有圖案)的部分,留下剩余的部分。
“光刻”是指在涂滿光刻膠的晶圓(或者叫硅片)上蓋上事先做好的光刻板,然后用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質,易于腐蝕。
“刻蝕”是光刻后,用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉(正膠),晶圓表面就顯出半導體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕,形成半導體器件及其電路。

金屬蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。金屬蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻(dryetching)兩類。金屬蝕刻是由一系列復雜的化學過程組成,不同的腐蝕劑對不同金屬材料具有不同的腐蝕性能和強度。 蝕刻是金屬板模圖紋裝飾過程中的關鍵,要想得到條紋清晰、裝飾性很強的圖紋制品,必須注意控制好蝕刻工藝的條件。主要是蝕刻溶液的溫度和蝕刻時間。溶液溫度稍高,可以提高金屬溶解的速度,也就是蝕刻的速度,縮短蝕刻所需要的時間,但是蝕刻溶液一般都是強酸液,強酸液在溫度高的情況下腐蝕性強,容易使防護的涂層或耐蝕油墨軟化甚至溶解,使金屬非蝕刻部位的耐蝕層附著力下降,導致在蝕刻和非蝕刻交界處的耐蝕涂層脫落或溶化,使蝕刻圖紋模糊走樣,影響圖紋的美觀真實和裝飾效果,因此溫度不宜超過45℃。