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              磁控濺射裝置在線咨詢 創世威納

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              發布時間:2020-11-04 11:29  







              磁控濺射設備的主要用途

              (1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉換效率。(2)裝飾領域的應用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機外殼,鼠標等。(3) 在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術,主要應用在化學氣相沉積(CVD)或金屬有機(4)化學氣相沉積(MOCVD)生長困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。(5) 在光學領域:中頻閉合場非平衡磁控濺射技術也已在光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。特別是透明導電玻璃目前廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。(6)在機械加工行業中,表面功能膜、超硬膜,自潤滑薄膜的表面沉積技術自問世以來得到長足發展,能有效的提高表面硬度、復合韌性、耐磨損性和抗高溫化學穩定性能,從而大幅度地提高涂層產品的使用壽命。如果轟擊離子能量很高時,濺射的原子數與轟擊離子數之比值將減小,這是因為轟擊離子能量過高而發生離子注入現象的緣故。磁控濺射除上述已被大量應用的領域,還在高溫超導薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發揮重要作用。

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              磁控濺射鍍膜機工藝

              (1)技術方案 磁控濺射鍍光學膜,有以下三種技術路線: (a)陶瓷靶濺射:靶材采用金屬化合物靶材,可以直接沉積各種氧化物或者氮化物,有時候為了得到更高的膜層純度,也需要通入一定量反應氣體);(b)反應濺射:靶材采用金屬或非金屬靶,通入稀有和反應氣體的混合氣體,進行濺射沉積各種化合物膜層。 (b)反應濺射:靶材采用金屬或非金屬靶,通入稀有和反應氣體的混合氣體,進行濺射沉積各種化合物膜層。 (c)離子輔助沉積:先沉積一層很薄的金屬或非金屬層,然后再引入反應氣體離子源,將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術方案,在濺射沉積光學膜時,都會存在靶zhong毒現象,從而導致膜層沉積速度非常慢,對于上節介紹各種光學膜來說,膜層厚度較厚,膜層總厚度可達數百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本,從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。

              (2)新型反應濺射技術 筆者對現有反應濺射技術方案進行了改進,開發出新的反應濺射技術,解決了鍍膜沉積速度問題,同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術,膜層沉積速度對比情況。

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              我國真空鍍膜機行業發展現狀和前景分析

              創世威納——專業真空鍍膜機供應商,我們為您帶來以下信息。

              真空鍍膜技術是一種新穎的材料合成與加工的新技術,是表面工程技術領域的重要組成部分。隨著全球制造業高速發展,真空鍍膜技術應用越來越廣泛。從半導體集成電路、LED、顯示器、觸摸屏、太陽能光伏、化工、制藥等行業的發展來看,對真空鍍膜設備、技術、材料需求都在不斷增加,包括制造大規模集成電路的電學膜;數字式縱向與橫向均可磁化的數據紀錄儲存膜;充分展示和應用各種光學特性的光學膜;計算機顯示用的感光膜;TFT、PDP平面顯示器上的導電膜和增透膜;建筑、汽車行業上應用的玻璃鍍膜和裝飾膜;包裝領域用防護膜、阻隔膜;裝飾材料上具有各種功能裝飾效果的功能膜;工、模具表面上應用的耐磨超硬膜;納米材料研究方面的各種功能性薄膜等。磁控濺射法是在高真空充入適量的Ar,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁)之間施加幾百K直流電壓,在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電,使Ar發生電離。












              磁控濺射系統的特點!



              磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。磁控濺射系統廠家帶你了解更多!

              磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點:利用磁場與電場交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運行,從而增大電子撞擊ya氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

              濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。

              磁控濺射除上述已被大量應用的領域,還在高溫超導薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發揮重要作用。

              磁控濺射的基本原理是利用 Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下,被加速的高能粒子轟擊靶材表面,能量交換后,靶材表面的原子脫離原晶格而逸出,轉移到基體表面而成膜。

              磁控濺射的特點是成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好,可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。















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